IGBT Discrete

Sīkāku informāciju

apraksts

Vērtības

vienība

vTips

Sildītājs-izsildītājs

1200

v

v=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

v

ic

Saldēšanas šķidrumsc=25oC @ Tc=100oc

150

75

a)

iCM

pulsējošs- Vai?Kolektors- Vai?strāvas- Vai?tp- Vai?ierobežotas- Vai?ar- Vai?tvjmax

225

a)

pd

Maksimālais jaudas izmešana @ Tvj=175oc

852

w

Sīkāku informāciju

apraksts

Vērtības

vienība

vRRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots voltsvecums

1200

v

if

Dioda nepārtraukta uz priekšuīr

75

a)

iFM

pulsējošs- Vai?Kolektors- Vai?strāvas- Vai?tp- Vai?ierobežotas- Vai?ar- Vai?tvjmax

225

a)

Sīkāku informāciju

apraksts

Vērtības

vienība

tvjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +175

oc

tSTG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-55 līdz +150

oc

ts

Lūdes temperatūra 1,6 mm from lietu- Vai?10s

260

oc

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

- Vai?

vCE (sat)

- Vai?

- Vai?

Saņēmējs - emitents- Vai?Sātumapstrādes spriegums

ic=75A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tvj=25oc

- Vai?

1.75

2.20

- Vai?

- Vai?

v

ic=75A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tvj= 150oc

- Vai?

2.10

- Vai?

ic=75A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tvj=175oc

- Vai?

2.20

- Vai?

vĢEN(- - - - - -)

Vārda emitenta slieksnis- Vai?spriegums

ic=3.00māte- Jā,vc=vĢEN- Jā,- Vai?tvj=25oc

5.0

5.8

6.5

v

iTips

Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgtstrāvas

vc=vTips- Jā,vĢEN=0V,- Vai?tvj=25oc

- Vai?

- Vai?

250

μA

i=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde- Vai?strāvas

vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,tvj=25oc

- Vai?

- Vai?

100

no

rGint

Iekšējā vārtu pretestība

- Vai?

- Vai?

2.0

- Vai?

Ω

c125 °C

ies

- Vai?

vc=25V, f=100kHz,- Vai?vĢEN=0V

- Vai?

6.58

- Vai?

MHz

cejs

Izvades jauda

- Vai?

0.40

- Vai?

- Vai?

cres

Atgriezītais pārvedums- Vai?Jauda

- Vai?

0.19

- Vai?

MHz

qg

nF

vĢEN=-15...+15V

- Vai?

0.49

- Vai?

μC

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic=75A,- Vai?rg=4,7Ω,

vĢEN=±15V,- Vai?Ls=40nH,

tvj=25oc

- Vai?

41

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

135

- Vai?

ns

td(izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

87

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

255

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana- Vai?zaudējumi

- Vai?

12.5

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas- Vai?zaudējumi

- Vai?

3.6

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic=75A,- Vai?rg=4,7Ω,

vĢEN=±15V,- Vai?Ls=40nH,

tvj= 150oc

- Vai?

46

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

140

- Vai?

ns

td(izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

164

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

354

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana- Vai?zaudējumi

- Vai?

17.6

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas- Vai?zaudējumi

- Vai?

6.3

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic=75A,- Vai?rg=4,7Ω,

vĢEN=±15V,- Vai?Ls=40nH,

tvj=175oc

- Vai?

46

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

140

- Vai?

ns

td(izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

167

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

372

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana- Vai?zaudējumi

- Vai?

18.7

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas- Vai?zaudējumi

- Vai?

6.7

- Vai?

mJ

iSC

- Vai?

SC dati

tp≤10μs,vĢENKolektora-emiteru piesātinājums

tvj=175oC,VCC= 800V,- Vai?vCEM≤ 1200V

- Vai?

- Vai?

300

- Vai?

- Vai?

a)

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

vf

Diode uz priekšu- Vai?spriegums

if=75A,VĢEN=0V,Tvj=25oc

- Vai?

1.75

2.20

- Vai?

v

if=75A,VĢEN=0V,Tvj=150oc

- Vai?

1.75

- Vai?

if=75A,VĢEN=0V,Tvj=175oc

- Vai?

1.75

- Vai?

trr

Dioda atkārtots- Vai?Atgūšanas laiks

- Vai?

vr= 600V,If=75A,

-di/dt=370A/μs,VĢEN=-15V,- Vai?Ls=40nH,

tvj=25oc

- Vai?

267

- Vai?

ns

qr

Atgūstamā nodeva

- Vai?

4.2

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

22

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

- Vai?

1.1

- Vai?

mJ

trr

Dioda atkārtots- Vai?Atgūšanas laiks

- Vai?

vr= 600V,If=75A,

-di/dt=340A/μs,VĢEN=-15V,- Vai?Ls=40nH,

tvj= 150oc

- Vai?

432

- Vai?

ns

qr

Atgūstamā nodeva

- Vai?

9.80

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

33

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

- Vai?

2.7

- Vai?

mJ

trr

Dioda atkārtots- Vai?Atgūšanas laiks

- Vai?

vr= 600V,If=75A,

-di/dt=320A/μs,VĢEN=-15V,- Vai?Ls=40nH,

tvj=175oc

- Vai?

466

- Vai?

ns

qr

Atgūstamā nodeva

- Vai?

11.2

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

35

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

- Vai?

3.1

- Vai?

mJ

Sīkāku informāciju

parametrs

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

rTJC

Savienojums ar lietu (par IGB)T)Savienojums ar kārtu (par D)jods)

- Vai?

- Vai?

0.176- Vai?0.371

K/W

rTJN

Savienojums ar vidi

- Vai?

40

- Vai?

K/W