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특징 ：
전형적 응용
V RSM |
V RRM |
유형 및 개요 |
900V |
800V |
MDx160-08-229H3 |
1100V |
1000V |
MDx160-10-229H3 |
1300V |
1200V |
MDx160-12-229H3 |
1500V |
1400V |
MDx160-14-229H3 |
1700V |
1600V |
MDx160-16-229H3 |
1900V |
1800V |
MDx160-18-229H3 |
|
상징 |
특징 |
시험 조건 |
Tj( ° C) |
가치 |
UNIT |
||
분 |
유형 |
최대 |
|||||
IF(AV) |
평균 정방향 전류 |
180° 반 사인파 50Hz 단면 냉각, TC=100 ° C |
150 |
|
|
160 |
A |
IF(RMS) |
RMS 정방향 전류 |
|
|
251 |
A |
||
IRRM |
반복 피크 전류 |
vRRM에서 |
150 |
|
|
12 |
mA |
IFSM |
서지 정방향 전류 |
10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM |
150 |
|
|
4 |
kA |
I2t |
퓨징 조정을 위한 I2t |
|
|
80 |
A2s*103 |
||
VFO |
임계 전압 |
|
150 |
|
|
0.85 |
V |
rF |
정방향 기울기 저항 |
|
|
1.25 |
m 오 |
||
VFM |
피크 정방향 전압 |
IFM=480A |
25 |
|
|
1.50 |
V |
Rth(j-c) |
열 저항 접합에서 케이스까지 |
칩당 단면 냉각 |
|
|
|
0.20 |
C /W |
Rth(c-h) |
열 저항 케이스에서 방열판까지 |
칩당 단면 냉각 |
|
|
|
0.08 |
C /W |
비소 |
격리 전압 |
50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(최대) |
|
3000 |
|
|
V |
|
Fm |
단자 연결 토크(M6) |
|
|
4.5 |
|
6 |
N ·m |
장착 토크(M6) |
|
|
4.5 |
|
6 |
N ·m |
|
TSTG |
저장 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
° C |
Wt |
무게 |
|
|
|
165 |
|
g |
개요 |
229H3 |
||||||
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