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특징
전형적 응용
VRSM |
VRRM |
유형 및 개요 |
900V |
800V |
MDx600-08-417F2 |
1100V |
1000V |
MDx600-10-417F2 |
1300V |
1200V |
MDx600-12-417F2 |
1500V |
1400V |
MDx600-14-417F2 |
1700V |
1600V |
MDx600-16-417F2 |
1900V |
1800V |
MDx600-18-417F2 |
상징 |
특징 |
시험 조건 |
Tj( °C ) |
가치 |
UNIT |
||
분 |
유형 |
최대 |
|||||
IF(AV) |
평균 정방향 전류 |
180° 반 사인파 50Hz 단면 냉각, TC=100 °C |
150 |
|
|
600 |
A |
IF (RMS) |
RMS 정방향 전류 |
150 |
|
|
942 |
A |
|
IRRM |
반복 피크 전류 |
VRRM에서 |
150 |
|
|
30 |
mA |
IFSM |
서지 정방향 전류 |
10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM |
150 |
|
|
19.0 |
kA |
I 2T |
I 2융합 조정용 시간 |
|
|
1805 |
A 2s*10 3 |
||
VFO |
임계 전압 |
|
150 |
|
|
0.75 |
V |
rF |
정방향 기울기 저항 |
|
|
0.35 |
mΩ |
||
VFM |
피크 정방향 전압 |
IFM=1500A |
25 |
|
|
1.35 |
V |
Rth(j-c) |
열 저항 접합부에서 케이스까지 |
180에서 ° 사인 ,칩당 단면 냉각 |
|
|
|
0.065 |
°C /W |
Rth(c-h) |
열 저항 케이스에서 방열판까지 |
180에서 ° 사인 ,칩당 단면 냉각 |
|
|
|
0.024 |
°C /W |
비소 |
격리 전압 |
50Hz, R.M.S, t=1분, Iiso: 1mA(최대) |
|
3000 |
|
|
V |
Fm |
단자 연결 토크(M10) |
|
|
|
12.0 |
|
N·m |
장착 토크(M6) |
|
|
|
6.0 |
|
N·m |
|
T vj |
접점 온도 |
|
|
-40 |
|
150 |
°C |
TSTG |
저장 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
Wt |
무게 |
|
|
|
775 |
|
g |
개요 |
417F2 |
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