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간단한 소개:
CRRC에서 생산한 고전압 단일 스위치 IGBT 모듈. 3300V 1200A.
특징
일반적응용
최대 등급 값
매개변수 | 상징 | 조건 | mIN | m축 | UNIT |
컬렉터-이미터 전압 | VCES | VGE=0V,Tvj≥25°C |
| 3300 | V |
DC 컬렉터 전류 | IC | TC =80 °C |
| 1200 | A |
피크 컬렉터 전류 | ICM | tp =1ms,Tc=80°C |
| 2400 | A |
게이트 이미터 전압 | VGE |
| -20 | 20 | V |
총 전력 손실 | Ptot | TC =25°C, 스위치당(IGBT) |
| 10500 | W |
동전 전류 | IF |
|
| 1200 | A |
전류 최고 | IFRM | tp = 1 ms |
| 2400 | A |
전류 | IFSM | VR = 0 V, Tvj = 125 °C, tp = 10 ms, half-sinewave |
| 9000 | A |
IGBT 단회로 SOA | tpsc | VCC = 2500 V, VCEM CHIP ≤ 3300V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 125 °C |
| 10 | μs |
격리 전압 | Visol | 1 분, f = 50 Hz |
| 10200 | V |
접점 온도 | TVj |
|
| 150 | °C |
접합 작동 온도 | TVj (op) |
| -50 | 125 | °C |
케이스 온도 | Tc |
| -50 | 125 | °C |
보관 온도 | TSTG |
| -50 | 125 | °C |
장착 모터 | M s | 베이스-히트싱크, M6 나사 | 4 | 6 |
Nm |
MT1 | 주 단자, M8 나사 , | 8 | 10 | ||
MT2 | 보조 단자, M6 나사 | 2 | 3 |
IGBT 특성
매개변수 | 상징 | 조건 | 분 | 유형 | 최대 | UNIT | |
컬렉터 (- 이미터) 파괴 전압 | V ((BR) CES | VGE = 0 V, IC= 12 mA, Tvj = 25 °C
| 3300 |
|
|
V | |
집합 발진기 포화 전압 |
VCE 포화 |
C = 1200 A, VGE= 15 V | TVj=25°C |
| 3.1 | 3.4 | V |
TVj=125°C |
| 3.8 | 4.3 | V | |||
집합 차단 전류 | ICES |
VCE = 3300 V, VGE = 0 V | TVj=25°C |
|
| 12 | mA |
TVj=125°C |
|
| 120 | mA | |||
게이트 누설 전류 | IGES |
VCE = 0 V, VGE = ± 20 V, Tvj =125 °C | -500 |
| 500 |
부적절함 | |
포트-에미터 임계 전압 | VGE (th) | IC =240mA,VCE =VGE,Tvj =25°C | 5.5 |
| 7.5 | V | |
게이트 요금 | 본부 | IC =1200 A VCE =1800V VGE = -15V ..15 V |
| 12.1 |
| μC | |
입력 용량 | 시스 |
VCE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C |
| 187 |
| NF | |
출력 용량 | 코스 |
| 11.57 |
| NF | ||
역전환 용량 | 크레스 |
| 2.22 |
| NF | ||
턴온 지연 시간 |
td(on) |
VCC = 1800 V, IC = 1200A, RG = 3.9Ω ,VGE =±15V L σ = 280nH, 유도 부하 | TVj=25°C |
| 750 |
| NS |
TVj=125°C |
| 750 |
| NS | |||
상승 시간 | tr | TVj=25°C |
| 400 |
| NS | |
TVj=125°C |
| 470 |
| NS | |||
차단 지연 시간 | td(off) | TVj=25°C |
| 1600 |
| NS | |
TVj=125°C |
| 1800 |
| NS | |||
하강 시간 | TF | ||||||
TVj=25°C |
| 1100 |
| NS | |||
TVj=125°C |
| 1200 |
| NS | |||
턴온 스위칭 손실 |
EON | TVj=25°C |
| 1400 |
| mJ | |
TVj=125°C |
| 1800 |
| mJ | |||
턴오프 스위칭 손실 에너지 |
EOFF | TVj=25°C |
| 1300 |
| mJ | |
TVj=125°C |
| 1700 |
| mJ | |||
단락 전류 |
ISC | VCC = 2500 V, VGE = 15V, L σ = 280nH, 유도 부하 |
|
5000 |
|
A |
다이오드 특성
매개변수 | 상징 | 조건 | 분 | 유형 | 최대 | UNIT | |
전압 |
VF | IF = 1200 A | Tvj = 25 °C |
| 2.3 | 2.6 | V |
Tvj = 125 °C |
| 2.35 | 2.6 | V | |||
역 회전 전류 |
Irr |
VCC= 1800 V, IC= 1200 A, RG=2.3Ω ,VGE=±15V, L σ = 280nH,유도 부하 | Tvj = 25 °C |
| 900 |
| A |
Tvj = 125 °C |
| 1000 |
| A | |||
회복 전하 |
Qrr | Tvj = 25 °C |
| 700 |
| μC | |
Tvj = 125 °C |
| 1000 |
| μC | |||
역회복 시간 |
trr | Tvj = 25 °C |
| 850 |
| NS | |
Tvj = 125 °C |
| 2200 |
| NS | |||
역 회수 에너지 |
Erec | Tvj = 25 °C |
| 850 |
| mJ | |
Tvj = 125 °C |
| 1300 |
| mJ |
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