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간단한 소개:
CRRC에서 생산한 고전압 단일 스위치 IGBT 모듈. 3300V 1200A.
특징
일반적 애플리케이션
최대 등급 값
매개변수 |
상징 |
조건 |
M iN |
M 축 |
UNIT |
컬렉터-이미터 전압 |
VCES |
VGE=0V,Tvj≥25°C |
|
3300 |
V |
DC 컬렉터 전류 |
IC |
TC =80 °C |
|
1200 |
A |
피크 컬렉터 전류 |
ICM |
tp =1ms,Tc=80°C |
|
2400 |
A |
게이트 이미터 전압 |
VGE |
|
-20 |
20 |
V |
총 전력 손실 |
Ptot |
TC =25°C, 스위치당(IGBT) |
|
10500 |
W |
동전 전류 |
IF |
|
|
1200 |
A |
전류 최고 |
IFRM |
tp = 1 ms |
|
2400 |
A |
전류 |
IFSM |
VR = 0 V, Tvj = 125 °C, tp = 10 ms, half-sinewave |
|
9000 |
A |
IGBT 단회로 SOA |
tpsc |
VCC = 2500 V, VCEM CHIP ≤ 3300V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 125 °C |
|
10 |
μs |
격리 전압 |
Visol |
1 분, f = 50 Hz |
|
10200 |
V |
접점 온도 |
TVj |
|
|
150 |
°C |
접합 작동 온도 |
TVj (op) |
|
-50 |
125 |
°C |
케이스 온도 |
Tc |
|
-50 |
125 |
°C |
보관 온도 |
TSTG |
|
-50 |
125 |
°C |
장착 모터 |
M s |
베이스-히트싱크, M6 나사 |
4 |
6 |
Nm |
MT1 |
주 단자, M8 나사 , |
8 |
10 |
||
MT2 |
보조 단자, M6 나사 |
2 |
3 |
IGBT 특성
매개변수 |
상징 |
조건 |
분 |
유형 |
최대 |
UNIT |
|
컬렉터 (- 이미터) 파괴 전압 |
V ((BR) CES |
VGE = 0 V, IC= 12 mA, Tvj = 25 °C
|
3300 |
|
|
V |
|
집합 발진기 포화 전압 |
VCE 포화 |
C = 1200 A, VGE= 15 V |
TVj=25°C |
|
3.1 |
3.4 |
V |
TVj=125°C |
|
3.8 |
4.3 |
V |
|||
집합 차단 전류 |
ICES |
VCE = 3300 V, VGE = 0 V |
TVj=25°C |
|
|
12 |
mA |
TVj=125°C |
|
|
120 |
mA |
|||
게이트 누설 전류 |
IGES |
VCE = 0 V, VGE = ± 20 V, Tvj =125 °C |
-500 |
|
500 |
부적절함 |
|
포트-에미터 임계 전압 |
VGE (th) |
IC =240mA,VCE =VGE,Tvj =25°C |
5.5 |
|
7.5 |
V |
|
게이트 요금 |
본부 |
IC =1200 A VCE =1800V VGE = -15V ..15 V |
|
12.1 |
|
μC |
|
입력 용량 |
시스 |
VCE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C |
|
187 |
|
nF |
|
출력 용량 |
코스 |
|
11.57 |
|
nF |
||
역전환 용량 |
크레스 |
|
2.22 |
|
nF |
||
턴온 지연 시간 |
td(on) |
VCC = 1800 V, IC = 1200A, RG = 3.9Ω ,VGE =±15V L σ = 280nH, 유도 부하 |
TVj=25°C |
|
750 |
|
nS |
TVj=125°C |
|
750 |
|
nS |
|||
상승 시간 |
tr |
TVj=25°C |
|
400 |
|
nS |
|
TVj=125°C |
|
470 |
|
nS |
|||
차단 지연 시간 |
td(off) |
TVj=25°C |
|
1600 |
|
nS |
|
TVj=125°C |
|
1800 |
|
nS |
|||
하강 시간 |
tF |
||||||
TVj=25°C |
|
1100 |
|
nS |
|||
TVj=125°C |
|
1200 |
|
nS |
|||
턴온 스위칭 손실 |
EON |
TVj=25°C |
|
1400 |
|
mJ |
|
TVj=125°C |
|
1800 |
|
mJ |
|||
턴오프 스위칭 손실 에너지 |
EOFF |
TVj=25°C |
|
1300 |
|
mJ |
|
TVj=125°C |
|
1700 |
|
mJ |
|||
단락 전류 |
ISC |
VCC = 2500 V, VGE = 15V, L σ = 280nH, 유도 부하 |
|
5000 |
|
A |
다이오드 특성
매개변수 |
상징 |
조건 |
분 |
유형 |
최대 |
UNIT |
|
전압 |
VF |
IF = 1200 A |
Tvj = 25 °C |
|
2.3 |
2.6 |
V |
Tvj = 125 °C |
|
2.35 |
2.6 |
V |
|||
역 회전 전류 |
Irr |
VCC= 1800 V, IC= 1200 A, RG=2.3Ω ,VGE=±15V, L σ = 280nH,유도 부하 |
Tvj = 25 °C |
|
900 |
|
A |
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
A |
|||
회복 전하 |
Qrr |
Tvj = 25 °C |
|
700 |
|
μC |
|
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
μC |
|||
역회복 시간 |
trr |
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
nS |
|
Tvj = 125 °C |
|
2200 |
|
nS |
|||
역 회수 에너지 |
Erec |
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
mJ |
|
Tvj = 125 °C |
|
1300 |
|
mJ |
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