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1700V 800A
간략한 소개
IGBT 모듈 cRRC에서 생산한 단일 스위치 IGBT 모듈. 1700V 1200A.
키 파라미터
V CES |
1700 |
V |
|
V CE (위성 ) |
(전형) |
2.30 |
V |
I C |
(Max) |
800 |
A |
I C(RM) |
(Max) |
1600 |
A |
일반적 응용 프로그램
특징
절대 최대 등급
(기호) |
(매개변수) |
(테스트 조건) |
(value) |
(단위) |
VCES |
컬렉터-이미터 전압 |
V GE = 0V, TC= 25 。C |
1700 |
V |
V GES |
게이트-이미터 전압 |
TC= 25 。C |
± 20 |
V |
I C |
컬렉터-이미터 전류 |
TC = 80 。C |
800 |
A |
I C(PK) |
피크 컬렉터 전류 |
t P=1ms |
1600 |
A |
P max |
최대 트랜지스터 전력 소산 |
Tvj = 150 。C, TC = 25 。C |
6.94 |
kW |
I 2t |
다이오드 I 2t |
VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125 。C |
120 |
kA2s |
Visol |
모듈당 절연 전압 |
(기판에 공통 터미널), AC RMS,1 분, 50Hz,TC= 25 。C |
4000 |
V |
Q PD |
모듈당 부분 방전 |
IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25 。C |
10 |
pC |
전기적 특성
(상징 ) |
(매개변수 ) |
(테스트 조건) |
(분 ) |
(유형 ) |
(최대 ) |
(UNIT ) |
|
I CES |
컬렉터 차단 전류 |
V GE = 0V,VCE = VCES |
|
|
1 |
mA |
|
V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C |
|
|
25 |
mA |
|||
I GES |
게이트 누설 전류 |
V GE = ±20V, VCE = 0V |
|
|
4 |
μA |
|
V GE (TH) |
게이트 임계 전압 |
I C = 40mA, V GE = VCE |
5.00 |
5.70 |
6.50 |
V |
|
VCE (sat)(*1) |
수집기-출사기 포화 전압 |
V GE =15V, I C = 800A |
|
2.30 |
2.60 |
V |
|
V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C |
|
2.80 |
3.10 |
V |
|||
I F |
다이오드 순방향 전류 |
직류 DC |
|
|
800 |
A |
|
I FRM |
다이오드 최대 전류 |
t P = 1ms |
|
|
1600 |
A |
|
VF(*1) |
다이오드 순방향 전압 |
I F = 800A |
|
1.70 |
2.00 |
V |
|
I F = 800A, Tvj = 125 ° C |
|
1.80 |
2.10 |
V |
|||
C ies |
입력 용량 |
VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
|
60 |
|
nF |
|
Q g |
게이트 요금 |
±15V |
|
9 |
|
μC |
|
C res |
역전환 용량 |
VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
|
- |
|
nF |
|
L M |
모듈 인덕턴스 |
|
|
20 |
|
nH |
|
R INT |
내부 트랜지스터 저항 |
|
|
270 |
|
μΩ |
|
I SC |
단락 전류, ISC |
Tvj = 125° C, VCC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9 |
|
3700 |
|
A |
|
td(off) |
차단 지연 시간 |
I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
|
890 |
|
nS |
|
t f |
하강 시간 |
|
220 |
|
nS |
||
E OFF |
차단 에너지 손실 |
|
220 |
|
mJ |
||
td(on) |
턴온 지연 시간 |
|
320 |
|
nS |
||
t r |
상승 시간 |
|
190 |
|
nS |
||
EON |
켜기 에너지 손실 |
|
160 |
|
mJ |
||
Q rr |
다이오드 역회복 전하 |
I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us |
|
260 |
|
μC |
|
I rr |
다이오드 역회복 전류 |
|
510 |
|
A |
||
E rec |
다이오드 역회복 에너지 |
|
180 |
|
mJ |
||
td(off) |
차단 지연 시간 |
I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
|
980 |
|
nS |
|
t f |
하강 시간 |
|
280 |
|
nS |
||
E OFF |
차단 에너지 손실 |
|
290 |
|
mJ |
||
td(on) |
턴온 지연 시간 |
|
400 |
|
nS |
||
t r |
상승 시간 |
|
250 |
|
nS |
||
EON |
켜기 에너지 손실 |
|
230 |
|
mJ |
||
Q rr |
다이오드 역회복 전하 |
I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us |
|
420 |
|
μC |
|
I rr |
다이오드 역회복 전류 |
|
580 |
|
A |
||
E rec |
다이오드 역회복 에너지 |
|
280 |
|
mJ |
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