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IGBT 모듈 1700V

IGBT 모듈 1700V

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YMIBD800-17,IGBT 모듈,이중 스위치 IGBT,CRRC

1700V 800A

Brand:
CRRC
Spu:
YMIBD800-17 / TIM800DDM17-PSA011
  • 소개
  • 개요
소개

간략한 소개

IGBT 모듈CRRC에서 생산한 단일 스위치 IGBT 모듈. 1700V 1200A.

파라미터

VCES

1700

V

VCE(위성)

(전형)

2.30

V

IC

(Max)

800

A

IC(RM)

(Max)

1600

A

일반적 신청서

  • 견인동기
  • 모터 컨트롤러
  • 바람 전력
  • 높은 신뢰성 인버터

특징

  • AlSiC 기지
  • AIN 기판
  • 높은 열적 사이클링 능력
  • 10μs 짧은 회로 견디세요
  • 낮은 VCE(위성) 장치
  • 높은 전류 밀도

절대 최대 등급

(기호)

(매개변수)

(테스트 조건)

(value)

(단위)

VCES

컬렉터-이미터 전압

V GE = 0V, TC= 25C

1700

V

V GES

게이트-이미터 전압

TC= 25C

± 20

V

I C

컬렉터-이미터 전류

TC = 80C

800

A

I C(PK)

피크 컬렉터 전류

t P=1ms

1600

A

P max

최대 트랜지스터 전력 소산

Tvj = 150C, TC = 25C

6.94

KW

I 2t

다이오드 I 2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125C

120

kA2s

Visol

모듈당 절연 전압

(기판에 공통 터미널),

AC RMS,1 분, 50Hz,TC= 25C

4000

V

Q PD

모듈당 부분 방전

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25C

10

PC

전기적 특성

(상징)

(매개변수)

(테스트 조건)

()

(유형)

(최대)

(UNIT)

I CES

컬렉터 차단 전류

V GE = 0V,VCE = VCES

1

mA

V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C

25

mA

I GES

게이트 누설 전류

V GE = ±20V, VCE = 0V

4

μA

V GE (TH)

게이트 임계 전압

I C = 40mA, V GE = VCE

5.00

5.70

6.50

V

VCE (sat)(*1)

수집기-출사기 포화 전압

V GE =15V, I C = 800A

2.30

2.60

V

V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C

2.80

3.10

V

I F

다이오드 순방향 전류

직류DC

800

A

I FRM

다이오드 최대 전류

t P = 1ms

1600

A

VF(*1)

다이오드 순방향 전압

I F = 800A

1.70

2.00

V

I F = 800A, Tvj = 125 ° C

1.80

2.10

V

C ies

입력 용량

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

60

NF

Q g

게이트 요금

±15V

9

μC

C res

역전환 용량

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

-

NF

L M

모듈 인덕턴스

20

nH

R INT

내부 트랜지스터 저항

270

μΩ

I SC

단락 전류, ISC

Tvj = 125° C, VCC = 1000V,

V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt,

IEC 6074-9

3700

A

td(off)

차단 지연 시간

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

890

NS

t f

하강 시간

220

NS

E OFF

차단 에너지 손실

220

mJ

td(on)

턴온 지연 시간

320

NS

t r

상승 시간

190

NS

EON

켜기 에너지 손실

160

mJ

Q rr

다이오드 역회복 전하

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

260

μC

I rr

다이오드 역회복 전류

510

A

E rec

다이오드 역회복 에너지

180

mJ

td(off)

차단 지연 시간

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

980

NS

t f

하강 시간

280

NS

E OFF

차단 에너지 손실

290

mJ

td(on)

턴온 지연 시간

400

NS

t r

상승 시간

250

NS

EON

켜기 에너지 손실

230

mJ

Q rr

다이오드 역회복 전하

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

420

μC

I rr

다이오드 역회복 전류

580

A

E rec

다이오드 역회복 에너지

280

mJ

개요

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