YMIBD500-33,IGBT 모듈,이중 스위치 IGBT,CRRC

(기호)

(매개변수)

(테스트 조건)

(value)

(단위)

VCES

컬렉터-이미터 전압

V GE = 0V,Tvj = 25°C

3300

V

V GES

게이트-이미터 전압

± 20

V

I C

컬렉터-이미터 전류

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

500

A

I C(PK)

피크 컬렉터 전류

1ms, T case = 140 °C

1000

A

P max

최대 트랜지스터 전력 소산

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

5.2

kW

I 2t

다이오드

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

80

kA2s

Visol

모듈당 절연 전압

공통 단자와 베이스 플레이트 연결),

AC RMS,1 분, 50Hz

6000

V

Q PD

모듈당 부분 방전

IEC1287 V1 = 3500V, V2 = 2600V, 50Hz RMS, TC = 25 °C

10

pC

T 사례 = 25° C T 사례 = 25° C 아니면 언급 그렇지 않으면

(상징 )

(매개변수)

(테스트 조건)

(분 )

(유형 )

(최대 )

(UNIT )

I CES

컬렉터 차단 전류

V GE = 0V, V CE = V CES

1

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T 사례 =125 °C

30

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T 사례 =150 °C

50

mA

I GES

게이트 누출 전류

V GE = ±20V, V CE = 0V

1

μA

V GE (TH)

게이트 임계 전압

I C = 40 mA , V GE = V CE

5.50

6.10

7.00

V

V CE (위성 )(*1)

컬렉터-이미터 포화 전압

V GE =15V, I C = 500A

2.40

2.90

V

V GE =15V, I C = 500A, T vj = 125 °C

2.95

3.40

V

V GE =15V, I C = 500A, T vj = 150 °C

3.10

3.60

V

I F

다이오드 순방향 전류

DC

500

A

I FRM

다이오드 최전선 전류

t 전 = 1밀리초

1000

A

V F (*1)

다이오드 순방향 전압

I F = 500A

2.10

2.60

V

I F = 500A, T vj = 125 °C

2.25

2.70

V

I F = 500A, T vj = 150 °C

2.25

2.70

V

C ies

입력 용량

V CE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

90

nF

Q g

게이트 요금

±15V

9

μC

C res

역전환 능력 인용

V CE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

2

nF

L M

모듈 인덕턴스

25

nH

R INT

내부 트랜지스터 저항

310

μΩ

I SC

단락 전류 I SC

T vj = 150°C V CC = 2500V, V GE ≤ 15V, t 전 ≤ 10μs,

V CE (최대 ) = V CES – L (*2) × di /dt ,IEC 6074-9

1800

A

td(off)

차단 지연 시간

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH

V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1720

nS

t f

하강 시간

520

nS

E OFF

차단 에너지 손실

780

mJ

td(on)

턴온 지연 시간

650

nS

tr

상승 시간

260

nS

EON

켜기 에너지 손실

730

mJ

Qrr

다이오드 역회복 전하

I F = 500A

VCE =1800V

diF/dt = 2100A/us

390

μC

I rr

다이오드 역회복 전류

420

A

Erec

다이오드 역회복 에너지

480

mJ

(기호)

(매개변수)

(테스트 조건)

(Min)

(전형)

(Max)

(단위)

td(off)

차단 지연 시간

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1860

nS

t f

하강 시간

550

nS

E OFF

차단 에너지 손실

900

mJ

td(on)

턴온 지연 시간

630

nS

tr

上升时间 상승 시간

280

nS

EON

켜기 에너지 손실

880

mJ

Qrr

다이오드 역회복 전하

I F = 500A

VCE =1800V

diF/dt = 2100A/us

620

μC

I rr

다이오드 역회복 전류

460

A

Erec

다이오드 역회복 에너지

760

mJ

(기호)

(매개변수)

(테스트 조건)

(Min)

(전형)

(Max)

(단위)

td(off)

차단 지연 시간

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1920

nS

t f

하강 시간

560

nS

E OFF

차단 에너지 손실

1020

mJ

td(on)

턴온 지연 시간

620

nS

tr

상승 시간

280

nS

EON

켜기 에너지 손실

930

mJ

Qrr

다이오드 역회복 전하

I F = 500A

VCE =1800V

diF/dt = 2100A/us

720

μC

I rr

다이오드 역회복 전류

490

A

Erec

다이오드 역회복 에너지

900

mJ