빠른 차단

Y76KFG, 비대칭 고속 차단 사이리스터

부품 번호 Y76KFG-KT73c(d)T

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기술 세미나

Spu:

Y76KFG-KT73c(d)T

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소개
개요

소개

I T(AV)	2900A
V DRM	2000V~ 3000V
V RRM	1000V~ 2500V
T Q	20~75µs

특징

우수한 동적 특성
빠른 턴온 및 높은 di/dt
저변화 손실

전형적 응용

인버터 공급 응용을 위한 설계

상징	특징	시험 조건			Tj(℃ )	가치			UNIT
상징	특징	시험 조건			Tj(℃ )	분	유형	최대	UNIT
IT(AV)	평균 온 상태 전류	180° 반 사인파 50Hz 양면 냉각		TC=55 。C	125			2900	A
VDRM	반복 피크 오프 상태 전압	tp=10ms			125	2000		3000	V
VRRM	반복 피크 역전압	tp=10ms			125	1000		2500	V
Idrm Irrm	반복 피크 전류	VDRM에서 VRRM에서			125			200	mA
ITSM	서지 온 상태 전류	10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM			125			30	kA
I2t	퓨징 조정을 위한 I2t	10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM			125			4500	103A2s
VTO	임계 전압				125			1.27	V
르티	온 상태 기울기 저항				125			0.15	mΩ
VTM	피크 온 상태 전압	ITM=5000A, F=40kN	20μs≤tq≤45µs		25			2.80	V
			46μs≤tq≤60μs					2.60	V
			61μs≤tq≤75μs					2.40	V
dv/dt	오프 상태 전압의 비판적 상승 속도	VDM=0.67VDRM			125			1000	V/μs
di/dt	온 상태 전류의 비반복적 상승 속도	VDM= 67%VDRM, 게이트 펄스 tr ≤0.5μs IGM=1.5A			125			1500	A/μs
Qrr	회복 전하	ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V			125		1300		μC
Tq	회로 전환 차단 시간	ITM=2000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs			125	25		75	μs
IGT	게이트 트리거 전류	VA=12V, IA=1A			25	40		250	mA
Vgt	게이트 트리거 전압					0.9		3.0	V
IH	유지 전류					20		1000	mA
IL	래칭 전류							1500	mA
VGD	비트리거 게이트 전압	VDM=67%VDRM			125			0.3	V
Rth(j-c)	열 저항 접합부에서 케이스까지	180에서 。사인파, 양면 냉각 클램핑 힘 40kN						0.010	。C /W
Rth(c-h)	열 저항 케이스에서 방열판까지	180에서 。사인파, 양면 냉각 클램핑 힘 40kN						0.003	。C /W
Fm	장착 힘					35		47	KN
TVj	접점 온도					-40		125	°C
TSTG	저장 온도					-40		140	°C
Wt	무게						1100		g
개요	KT73cT/ KT73dT