Y76KFE, 비대칭 빠른 차단 사이리스터

빠른 차단

Y76KFE, 비대칭 빠른 턴오프 사이리스터

부품 번호 Y76KFE-KT73c(d)T

Brand:

기술 세미나

Spu:

Y76KFE-KT73c(d)T

Appurtenance:

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소개
윤곽

소개

iT(AV)	3415a
vDRM	800V~2000V
vRRM	1000V~1800V
tq	15~75µs

특징

우수한 동적 특성
빠른 턴온 및 높은 di/dt
저변화 손실

전형적인 응용 프로그램

인버터 공급 응용을 위한 설계

상징	특징	시험 조건			Tj(℃)	가치			단위
상징	특징	시험 조건			Tj(℃)	분	종류	최대	단위
IT(AV)	평균 온 상태 전류	180ᅳ반사인파 50Hz 이중 측면 냉각,		TC=55°C	125			3415	a
IT(AV)	평균 온 상태 전류	180ᅳ반사인파 50Hz 이중 측면 냉각,		TC=70°C	125			2870	a
VDRM	반복 피크 오프 상태 전압	tp=10ms			125	800		2000	v
VRRM	반복 피크 역전압	tp=10ms			125	1000		1800	v
Idrm Irrm	반복 피크 전류	VD= VDRM VR= VRRM			125			200	엄마
ITSM	서지 온 상태 전류	10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM			125			35.6	ka
I2t	퓨징 조정을 위한 I2t	10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM			125			6337	A2s*103
VTO	임계 전압				125			1.21	v
르티	온 상태 슬로프 저항				125			0.10	mΩ
VTM	피크 온 상태 전압	ITM=4000A, F=40kN	15≤tq≤35		25			2.20	v
			36≤tq≤50					2.00	v
			51≤tq≤75					1.80	v
dv/dt	오프 상태 전압의 비판적 상승 속도	VDM=0.67VDRM			125			1000	V/μs
di/dt	정전 전류의 급격한 증가율	VDM= 67%VDRM에서 3000A까지 게이트 펄스 트 ≤0.5μs IGM=1.5A			125			1500	A/μs
Qrr	회복 전하	ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V			125		1300		μC
Tq	회로 전환 차단 시간	ITM=2000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs			100	15		75	μs
IGT	게이트 트리거 전류	VA=12V, IA=1A			25	45		300	엄마
Vgt	게이트 트리거 전압					0.9		4.5	v
IH	유지 전류					20		500	엄마
il	래칭 전류							1000	엄마
VGD	비트리거 게이트 전압	VDM=67%VDRM			125			0.3	v
Rth(j-c)	열 저항 접합부에서 케이스까지	180° 사인에서, 이중 측면 냉각 클램핑 힘 40kN						0.010	°C /W
Rth(c-h)	케이스에서 히트 싱크까지의 열 저항	180° 사인에서, 이중 측면 냉각 클램핑 힘 40kN						0.003	°C /W
fm	장착 힘					35		47	kn
TVj	접점 온도					-40		125	°C
TSTG	저장 온도					-40		140	°C
wt	무게						1100/ 1460		g
윤곽	KT73cT/ KT73dT