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고주파 사이리스터

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Y76KAD(D) ,고주파 사이리스터

부분 제1호 Y76KAD(D) -KT73cT

Brand:
기술 세미나
Spu:
Y76KAD(D) -KT73cT
Appurtenance:

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  • 소개
  • 개요
소개

I T(AV)

2600A

V DRM V RRM

1200V

1400V

T Q

10~ 25μs

특징

  • 인터디지테이티드 증폭 게이트
  • 빠른 턴온 및 높은 di/dt
  • 저변화 손실
  • 짧은 차단 시간
  • 세라믹 절연체가 있는 밀폐 금속 케이스

전형적 응용

  • 귀납적 가열
  • 전자 용접기
  • 자기 통신 인버터 터스
  • AC 모터 속도 제어

상징

특징

시험 조건

Tj( C)

가치

UNIT

유형

최대

IT(AV)

평균 온 상태 전류

180반 사인파 50Hz 이중 냉각

TC=55 C

125

2600

A

TC=70 C

125

2200

A

IDRM IRRM

반복적 최고 전류

VDRM에서 tp= 10ms VRRM에서 tp= 10ms

125

300

mA

ITSM

서지 온 상태 전류

10ms 반 시노스 파동 VR=0.6VRRM

125

35

kA

I 2T

I 2융합 조정용 시간

6125

103A 2s

VTO

임계 전압

125

1.38

V

르티

온 상태 기울기 저항

0.20

VTM

피크 온 상태 전압

ITM=4000A, F=40kN

25

2.50

V

dv/dt

급격한 증가율 오프 상태의 전압

VDM=67%VDR

125

1000

V/μs

di/dt

급격한 증가율 O f 정식 상태 전류

VDM=67%VDRM

포트 펄스 tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

회복 전하

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs,VR=50V

125

60

μC

Tq

회로 전환 t -오프 시간

ITM=2000A,tp=4000μs,VR=50V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs

125

10

25

μs

IGT

게이트 트리거 전류

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

Vgt

게이트 트리거 전압

0.8

3.0

V

I H

유지 전류

20

1000

mA

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

열 저항 접합에서 케이스까지

이중 냉각 힘 40kN

0.010

C /W

Rth(c-h)

열 저항 케이스에서 열기

0.003

Fm

장착 힘

35

47

KN

TVj

접점 온도

-40

125

C

TSTG

저장 온도

-40

140

C

Wt

무게

1100

g

개요

KT73cT

개요

Y76KAD(D)-2(1).png

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