I T(AV) |
2600A |
V DRM V RRM |
1200V 1400V |
T Q |
10~ 25μs |
특징 :
전형적 응용
상징 |
특징 |
시험 조건 |
Tj( 。C) |
가치 |
UNIT |
|||
분 |
유형 |
최대 |
||||||
IT(AV) |
평균 온 상태 전류 |
180。반 사인파 50Hz 이중 냉각 |
TC=55 。C |
125 |
|
|
2600 |
A |
TC=70 。C |
125 |
|
|
2200 |
A |
|||
IDRM IRRM |
반복적 최고 전류 |
VDRM에서 tp= 10ms VRRM에서 tp= 10ms |
125 |
|
|
300 |
mA |
|
ITSM |
서지 온 상태 전류 |
10ms 반 시노스 파동 VR=0.6VRRM |
125 |
|
|
35 |
kA |
|
I 2T |
I 2융합 조정용 시간 |
|
|
6125 |
103A 2s |
|||
VTO |
임계 전압 |
|
125 |
|
|
1.38 |
V |
|
르티 |
온 상태 기울기 저항 |
|
|
0.20 |
mΩ |
|||
VTM |
피크 온 상태 전압 |
ITM=4000A, F=40kN |
25 |
|
|
2.50 |
V |
|
dv/dt |
급격한 증가율 오프 상태의 전압 |
VDM=67%VDR |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
|
di/dt |
급격한 증가율 O f 정식 상태 전류 |
VDM=67%VDRM 포트 펄스 tr ≤0.5μs IGM= 1.5A |
125 |
|
|
1500 |
A/μs |
|
Qrr |
회복 전하 |
ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs,VR=50V |
125 |
|
60 |
|
μC |
|
Tq |
회로 전환 t -오프 시간 |
ITM=2000A,tp=4000μs,VR=50V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs |
125 |
10 |
|
25 |
μs |
|
IGT |
게이트 트리거 전류 |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
40 |
|
300 |
mA |
|
Vgt |
게이트 트리거 전압 |
0.8 |
|
3.0 |
V |
|||
I H |
유지 전류 |
20 |
|
1000 |
mA |
|||
VGD |
비트리거 게이트 전압 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.3 |
V |
|
Rth(j-c) |
열 저항 접합에서 케이스까지 |
이중 냉각 힘 40kN |
|
|
|
0.010 |
。C /W |
|
Rth(c-h) |
열 저항 케이스에서 열기 |
|
|
|
0.003 |
|||
Fm |
장착 힘 |
|
|
35 |
|
47 |
KN |
|
TVj |
접점 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
。C |
|
TSTG |
저장 온도 |
|
|
-40 |
|
140 |
。C |
|
Wt |
무게 |
|
|
|
1100 |
|
g |
|
개요 |
KT73cT |
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