고주파 사이리스터

상징

특징

시험 조건

Tj(ᅳC)

가치

단위

분

종류

최대

IT(AV)

평균 온 상태 전류

180ᅳ반 사인파 50Hz 이중 냉각

TC=55ᅳc

125

2600

a

TC=70ᅳc

125

2200

a

IDRM IRRM

반복적 최고 전류

VDRM에서     tp= 10ms VRRM에서     tp= 10ms

125

300

엄마

ITSM

서지 온 상태 전류

10ms 반 시노스 파동VR=0.6VRRM

125

35

ka

i2t

i2융합 조정용 시간

6125

103a2s

VTO

임계 전압

125

1.38

v

르티

온 상태 기울기 저항

0.20

mΩ

VTM

피크 온 상태 전압

ITM=4000A, F=40kN

25

2.50

v

dv/dt

급격한 증가율 오프 상태의 전압

VDM=67%VDR

125

1000

V/μs

di/dt

급격한 증가율 of 정식 상태 전류

VDM=67%VDRM

포트 펄스 tr ≤0.5μs   IGM= 1.5a

125

1500

A/μs

Qrr

회복 전하

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs,VR=50V

125

60

μC

Tq

회로 전환 t-오프 시간

ITM=2000A,tp=4000μs,VR=50V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs

125

10

25

μs

IGT

게이트 트리거 전류

VA= 12V, IA= 1a

25

40

300

엄마

Vgt

게이트 트리거 전압

0.8

3.0

v

ih

유지 전류

20

1000

엄마

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM=67%VDRM

125

0.3

v

Rth(j-c)

열 저항 접합에서 케이스까지

이중 냉각    힘 40kN

0.010

ᅳc /W

Rth(c-h)

열 저항 케이스에서 열기

0.003

fm

장착 힘

35

47

kn

TVj

접점 온도

-40

125

ᅳc

TSTG

저장 온도

-40

140

ᅳc

wt

무게

1100

g

윤곽

KT73cT