빠른 차단

상징

특징

시험 조건

Tj(℃)

가치

단위

분

종류

최대

IT(AV)

평균 온 상태 전류

180°반 사인파 50Hz 양면 냉각

TC=55°C

125

2500

a

VDRM

반복 피크 오프 상태 전압

tp=10ms

125

800

2000

v

VRRM

반복 피크 역전압

1000

1800

v

Idrm Irrm

반복 피크 전류

VDRM에서 VRRM에서

125

200

엄마

ITSM

서지 온 상태 전류

10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM

125

29

ka

I2t

퓨징 조정을 위한 I2t

4205

103A2s

VTO

임계 전압

125

1.10

v

르티

온 상태 기울기 저항

0.13

mΩ

VTM

피크 온 상태 전압

ITM=4000A, F=32kN

15≤tq≤28

25

2.20

v

29≤tq≤50

2.00

v

51≤tq≤75

1.80

v

dv/dt

오프 상태 전압의 비판적 상승 속도

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

온 상태 전류의 비반복적 상승 속도

VDM= 67%VDRM,

게이트 펄스 tr ≤0.5μs   IGM= 1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

회복 전하

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

125

750

μC

Tq

회로 전환 차단 시간

ITM=2000A, tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

15

75

μs

IGT

게이트 트리거 전류

VA= 12V, IA= 1A

25

40

250

엄마

Vgt

게이트 트리거 전압

0.9

2.5

v

IH

유지 전류

20

1000

엄마

il

래칭 전류

1000

엄마

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM=67%VDRM

125

0.3

v

Rth(j-c)

열 저항 접합부에서 케이스까지

180에서°사인파, 양면 냉각 클램핑 힘 32kN

0.012

ᅳC /W

Rth(c-h)

열 저항 케이스에서 방열판까지

0.003

fm

장착 힘

30

40

kn

TVj

접점 온도

-40

125

°C

TSTG

저장 온도

-40

130

°C

wt

무게

880

g

윤곽

KT60cT