IT(AV) |
1600A |
VDRM |
1200V ~ 2000V |
VRRM |
1000V ~ 1800V |
T Q |
20~50µs |
특징
전형적 응용
상징 |
특징 |
시험 조건 |
Tj( °C ) |
가치 |
UNIT |
|||
분 |
유형 |
최대 |
||||||
IT(AV) |
평균 온 상태 전류 |
180° 반 사인파 50Hz 양면 냉각 |
T C =55 °C |
125 |
|
|
1600 |
A |
VDRM |
반복 피크 오프 상태 전압 |
tp=10ms |
125 |
1200 |
|
2000 |
V |
|
VRRM |
반복 피크 역전압 |
1000 |
|
1800 |
V |
|||
Idrm Irrm |
반복 피크 전류 |
VDRM에서 VRRM에서 |
125 |
|
|
120 |
mA |
|
ITSM |
서지 온 상태 전류 |
10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM |
125 |
|
|
18 |
kA |
|
I2t |
퓨징 조정을 위한 I2t |
|
|
1620 |
103A2s |
|||
VTO |
임계 전압 |
|
125 |
|
|
1.27 |
V |
|
르티 |
온 상태 기울기 저항 |
|
|
0.22 |
mΩ |
|||
VTM |
피크 온 상태 전압 |
ITM=3000A, F=28kN |
20≤tq≤28 |
25 |
|
|
2.20 |
V |
29≤tq≤50 |
|
|
2.00 |
V |
||||
dv/dt |
오프 상태 전압의 비판적 상승 속도 |
VDM=0.67VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
|
di/dt |
온 상태 전류의 비반복적 상승 속도 |
VDM= 67%VDRM, 게이트 펄스 tr ≤0.5μs IGM= 1.5A |
125 |
|
|
1500 |
A/μs |
|
Qrr |
회복 전하 |
ITM= 1000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V |
125 |
|
750 |
|
μC |
|
Tq |
회로 전환 차단 시간 |
ITM= 1000A ,tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs |
125 |
15 |
|
50 |
μs |
|
IGT |
게이트 트리거 전류 |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
40 |
|
250 |
mA |
|
Vgt |
게이트 트리거 전압 |
0.9 |
|
2.5 |
V |
|||
IH |
유지 전류 |
20 |
|
500 |
mA |
|||
IL |
래칭 전류 |
|
|
1000 |
mA |
|||
VGD |
비트리거 게이트 전압 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.3 |
V |
|
Rth(j-c) |
열 저항 접합부에서 케이스까지 |
180에서 ° 사인파, 양면 냉각 클램핑 힘 32kN |
|
|
|
0.016 |
°C /W |
|
Rth(c-h) |
열 저항 케이스에서 방열판까지 |
|
|
|
0.004 |
|||
Fm |
장착 힘 |
|
|
27 |
|
34 |
KN |
|
TVj |
접점 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
|
TSTG |
저장 온도 |
|
|
-40 |
|
140 |
°C |
|
Wt |
무게 |
|
|
|
640 |
|
g |
|
개요 |
KT54cT |
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