고주파 사이리스터

상징

특징

시험 조건

Tj(ᅳC)

가치

단위

분

종류

최대

그(아브)

평균 온 상태 전류

180ᅳ반 사인파 50Hz 양면 냉각,

TC=55ᅳc

125

1010

a

VDRM VRRM

반복적 최대 오프 상태 전압 반복적 피크 역전압

tp=10ms

125

1200

1600

v

IDRM IRRM

반복적 최대 오프 상태 전류 반복적 최대 역전류

VDRM에서 VRRM에서

125

50

엄마

ITSM

서지 온 상태 전류

10ms 반 사인 파동VR=0.6VRRM

125

11

ka

i2t

i2t 에 대해 융합 조정

605

a2s*103

VTO

임계 전압

125

1.70

v

르티

온 상태 기울기 저항

0.48

mΩ

VTM

피크 온 상태 전압

ITM=1800A, F=21kN

25

3.20

v

dv/dt

급격한 증가율 오프 상태의 전압

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

비판적 ri 비율se 정식 상태 전류

VDM= 67%VDRM 에 1600A

게이트 펄스 tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

회복 전하

ITM=1000A, tp=4000µs,  di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

83

100

μC

Tq

회로 전환 차단 시간

ITM=1000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

18

36

μs

IGT

게이트 트리거 전류

VA=12V, IA=1A

25

30

250

엄마

Vgt

게이트 트리거 전압

0.8

3.0

v

ih

유지 전류

20

400

엄마

i난

래칭 전류

500

엄마

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM=67%VDRM

125

0.3

v

Rth(j-c)

열 저항력 접합에서 케이스까지

에 1800 사인파, 이중 냉각 클램핑 힘 21kN

0.024

ᅳc /W

Rth(c-h)

열 저항력 케이스에서 열기

0.006

fm

장착 힘

18

25

kn

TVj

접점 온도

-40

125

ᅳc

TSTG

저장 온도

-40

140

ᅳc

wt

무게

3800

g

윤곽

KT44cT