iT(AV) | 600a |
vDRM | 2000V~2200V |
vRRM | 2500V~2800V |
tq | 30~100µs |
특징
전형적인 응용 프로그램
상징 |
특징 |
시험 조건 |
Tj(℃) | 가치 |
단위 | ||||
분 | 종류 | 최대 | |||||||
IT(AV) |
평균 온 상태 전류 | 180°반사인파 50Hz 이중 측면 냉각, | TC=80°C |
125 |
|
| 600 | a | |
TC=55°C |
|
| 800 | a | |||||
VDRM VRRM | 반복 피크 오프 상태 전압 반복 피크 역전압 | tp=10ms | 125 | 1900 |
| 3000 | v | ||
Idrm Irrm | 반복 피크 전류 | VDRM에서 VRRM에서 | 125 |
|
| 60 | 엄마 | ||
ITSM | 서지 온 상태 전류 | 10ms 반사인파 | 125 |
|
| 8.5 | ka | ||
I2t | 퓨징 조정을 위한 I2t |
|
| 361 | A2s* 103 | ||||
VTO | 임계 전압 |
| 125 |
|
| 1.39 | v | ||
르티 | 온 상태 기울기 저항 |
|
| 0.83 | mΩ | ||||
VTM |
피크 온 상태 전압 |
ITM= 1800A, F= 18kN | 30≤tq≤55 |
25 |
|
| 3.15 | v | |
56≤tq≤75 |
|
| 2.88 | v | |||||
76≤tq≤100 |
|
| 2.60 | v | |||||
dv/dt | 오프 상태 전압의 비판적 상승 속도 | VDM=0.67VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs | ||
di/dt | 정전 전류의 급격한 증가율 | VDM= 67%VDRM에서 1600A, 게이트 펄스 tr ≤0.5μs IGM= 1.5A 단일 펄스 | 125 |
|
| 1200 | A/μs | ||
Qrr | 회복 전하 | ITM= 1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR= 100V | 125 |
| 550 |
| μC | ||
Tq | 회로 전환 차단 시간 | ITM= 1000A, tp=4000µs, VR= 100V dv/dt=30V/µs , di/dt=-20A/µs | 125 | 30 |
| 100 | μs | ||
IGT | 게이트 트리거 전류 |
VA= 12V, IA= 1A |
25 | 40 |
| 300 | 엄마 | ||
Vgt | 게이트 트리거 전압 | 0.9 |
| 3.0 | v | ||||
IH | 유지 전류 | 20 |
| 400 | 엄마 | ||||
il | 래칭 전류 |
|
| 500 | 엄마 | ||||
VGD | 비트리거 게이트 전압 | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.3 | v | ||
Rth(j-c) | 열 저항 접합부에서 케이스까지 | 180° 사인에서, 이중 측면 냉각 클램핑 힘 18kN |
|
|
| 0.028 |
°C/W | ||
Rth(c-h) | 케이스에서 히트 싱크까지의 열 저항 |
|
|
| 0.0075 | ||||
fm | 장착 힘 |
|
| 15 |
| 20 | kn | ||
TVj | 접점 온도 |
|
| -40 |
| 125 | °C | ||
TSTG | 저장 온도 |
|
| -40 |
| 140 | °C | ||
wt | 무게 |
|
|
| 320 |
| g | ||
윤곽 | KT39cT |
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