Y40KKG, 빠른 차단 사이리스터

상징

특징

시험 조건

Tj(℃ )

가치

UNIT

분

유형

최대

IT(AV)

평균 온 상태 전류

180° 반사인파 50Hz 이중 측면 냉각,

TC=80°C

125

600

A

TC=55°C

800

A

VDRM VRRM

반복 피크 오프 상태 전압 반복 피크 역전압

tp=10ms

125

1900

3000

V

Idrm Irrm

반복 피크 전류

VDRM에서 VRRM에서

125

60

mA

ITSM

서지 온 상태 전류

10ms 반사인파

125

8.5

kA

I2t

퓨징 조정을 위한 I2t

361

A2s* 103

VTO

임계 전압

125

1.39

V

르티

온 상태 기울기 저항

0.83

mΩ

VTM

피크 온 상태 전압

ITM= 1800A, F= 18kN

30≤tq≤55

25

3.15

V

56≤tq≤75

2.88

V

76≤tq≤100

2.60

V

dv/dt

오프 상태 전압의 비판적 상승 속도

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

정전 전류의 급격한 증가율

VDM= 67%VDRM에서 1600A,

게이트 펄스 tr ≤0.5μs IGM= 1.5A 단일 펄스

125

1200

A/μs

Qrr

회복 전하

ITM= 1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR= 100V

125

550

μC

Tq

회로 전환 차단 시간

ITM= 1000A, tp=4000µs, VR= 100V dv/dt=30V/µs , di/dt=-20A/µs

125

30

100

μs

IGT

게이트 트리거 전류

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

Vgt

게이트 트리거 전압

0.9

3.0

V

IH

유지 전류

20

400

mA

IL

래칭 전류

500

mA

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

열 저항 접합부에서 케이스까지

180° 사인에서, 이중 측면 냉각 클램핑 힘 18kN

0.028

°C /W

Rth(c-h)

케이스에서 히트 싱크까지의 열 저항

0.0075

Fm

장착 힘

15

20

KN

TVj

접점 온도

-40

125

°C

TSTG

저장 온도

-40

140

°C

Wt

무게

320

g

개요

KT39cT