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IT(AV) |
750 |
VDRM, VRRM |
500V 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800 |
특징 ：
전형적 응용
|
상징 |
특징 |
시험 조건 |
Tj( °C ) |
가치 |
UNIT |
|||
분 |
유형 |
최대 |
||||||
|
IT(RMS) |
RMS 전류 |
50Hz 사인파 양면 냉각, |
TC=55°C |
125 |
|
|
1060 |
A |
TC=85 。C |
125 |
|
|
750 |
||||
VDRM |
반복 피크 역전압 |
VDRM tp=10ms VDSM = VDRM +100V |
125 |
500 |
|
1800 |
V |
|
IDRM |
반복 피크 전류 |
VDRM에서 |
125 |
|
|
40 |
mA |
|
ITSM |
서지 온 상태 전류 |
10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM |
125 |
|
|
7.6 |
kA |
|
I2t |
퓨징 조정을 위한 I2t |
|
|
288 |
A2s*103 |
|||
VTO |
임계 전압 |
|
125 |
|
|
0.84 |
V |
|
르티 |
온 상태 기울기 저항 |
|
|
1.01 |
mΩ |
|||
VTM |
피크 온 상태 전압 |
ITM=900A, F=15kN |
25 |
|
|
2.70 |
V |
|
dv/dt |
오프 상태 전압의 비판적 상승 속도 |
VDM=0.67VDRM |
125 |
|
|
50 |
V/µs |
|
di/dt |
정전 전류의 급격한 증가율 |
VDM= 67%VDRM에서 1000A, 게이트 펄스 트 ≤0.5μs IGM=1.5A 반복 |
125 |
|
|
50 |
A/µs |
|
IGT |
게이트 트리거 전류 |
VA=12V, IA=1A |
25 |
20 |
|
300 |
mA |
|
Vgt |
게이트 트리거 전압 |
0.8 |
|
3.0 |
V |
|||
IH |
유지 전류 |
20 |
|
300 |
mA |
|||
IL |
래칭 전류 |
|
|
500 |
mA |
|||
VGD |
비트리거 게이트 전압 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.3 |
V |
|
Rth(j-c) |
열 저항 접합부에서 케이스까지 |
양면 냉각 클램핑 힘 15kN |
|
|
|
0.035 |
。C /W |
|
Rth(c-h) |
케이스에서 히트 싱크까지의 열 저항 |
|
|
|
0.008 |
|||
Fm |
장착 힘 |
|
|
10 |
|
20 |
KN |
|
TVj |
접점 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
。C |
|
TSTG |
저장 온도 |
|
|
-40 |
|
140 |
。C |
|
Wt |
무게 |
|
|
|
240 |
|
g |
|
개요 |
KT33cT |
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