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IT(AV) | 750 |
VDRM, VRRM | 500V 800V 1000V- 그래1200v 1400V 1600V 1800 |
특징:
전형적인 응용 프로그램
상징 |
특징 |
시험 조건 | Tj(°C) | 가치 |
단위 | |||
분 | 종류 | 최대 | ||||||
IT(RMS) | RMS 전류 | 50Hz 사인파 양면 냉각, | TC=55°C | 125 |
|
| 1060 |
a |
TC=85ᅳc | 125 |
|
| 750 | ||||
VDRM | 반복 피크 역전압 | VDRM tp=10ms VDSM = VDRM +100V | 125 | 500 |
| 1800 | v | |
IDRM | 반복 피크 전류 | VDRM에서 | 125 |
|
| 40 | 엄마 | |
ITSM | 서지 온 상태 전류 | 10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM | 125 |
|
| 7.6 | ka | |
I2t | 퓨징 조정을 위한 I2t |
|
| 288 | A2s*103 | |||
VTO | 임계 전압 |
| 125 |
|
| 0.84 | v | |
르티 | 온 상태 기울기 저항 |
|
| 1.01 | mΩ | |||
VTM | 피크 온 상태 전압 | ITM=900A, F=15kN | 25 |
|
| 2.70 | v | |
dv/dt | 오프 상태 전압의 비판적 상승 속도 | VDM=0.67VDRM | 125 |
|
| 50 | V/µs | |
di/dt | 정전 전류의 급격한 증가율 | VDM= 67%VDRM에서 1000A, 게이트 펄스 트 ≤0.5μs IGM=1.5A 반복 | 125 |
|
| 50 | A/µs | |
IGT | 게이트 트리거 전류 |
VA=12V, IA=1A |
25 | 20 |
| 300 | 엄마 | |
Vgt | 게이트 트리거 전압 | 0.8 |
| 3.0 | v | |||
IH | 유지 전류 | 20 |
| 300 | 엄마 | |||
il | 래칭 전류 |
|
| 500 | 엄마 | |||
VGD | 비트리거 게이트 전압 | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.3 | v | |
Rth(j-c) | 열 저항 접합부에서 케이스까지 | 양면 냉각 클램핑 힘 15kN |
|
|
| 0.035 |
ᅳC /W | |
Rth(c-h) | 케이스에서 히트 싱크까지의 열 저항 |
|
|
| 0.008 | |||
fm | 장착 힘 |
|
| 10 |
| 20 | kn | |
TVj | 접점 온도 |
|
| -40 |
| 125 | ᅳc | |
TSTG | 저장 온도 |
|
| -40 |
| 140 | ᅳc | |
wt | 무게 |
|
|
| 240 |
| g | |
윤곽 | KT33cT | |||||||
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