Y100KFG, 비대칭 고속 차단 사이리스터

상징

특징

시험 조건

Tj(℃ )

가치

UNIT

분

유형

최대

IT(AV)

평균 온 상태 전류

180。반 사인파 50Hz 양면 냉각

TC=55℃

125

4890

A

Idrm Irrm

반복 피크 전류

VDRM에서 tp= 10ms VRRM에서 tp= 10ms

125

250

mA

ITSM

서지 온 상태 전류

10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM

125

63

kA

I2t

퓨징 조정을 위한 I2t

19845

103A2s

VTO

임계 전압

125

1.30

V

르티

온 상태 기울기 저항

0.13

mΩ

VTM

피크 온 상태 전압

ITM=5000A, F=90kN

25μs≤tq≤45μs

25

2.50

V

46μs≤tq≤75μs

1.80

V

76μs≤tq≤100μs

1.60

V

dv/dt

오프 상태 전압의 비판적 상승 속도

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

온 상태 전류의 비반복적 상승 속도

VDM= 67%VDRM,

게이트 펄스 tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1200

A/μs

Qrr

회복 전하

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

125

2100

μC

Tq

회로 전환 차단 시간

ITM=2000A, tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

25

100

μs

IGT

게이트 트리거 전류

VA= 12V, IA= 1A

25

40

250

mA

Vgt

게이트 트리거 전압

0.9

2.5

V

IH

유지 전류

20

1000

mA

IL

래칭 전류

1500

mA

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

열 저항 접합부에서 케이스까지

180에서 ° 사인파, 양면 냉각 클램핑 힘 90kN

0.0050

。C /W

Rth(c-h)

열 저항 케이스에서 방열판까지

0.0015

Fm

장착 힘

81

108

KN

TVj

접점 온도

-40

125

°C

TSTG

저장 온도

-40

140

°C

Wt

무게

2000/ 2500

g

개요

KT100cT/ KT100dT