IGBT 모듈 4500V

매개 변수/参数

상징/符号

조건/条件

분

최대

UNIT

컬렉터-이미터 전압 集电极- 발사압

VCES

VGE =0V,Tvj ≥25°C

4500

V

DC 수집기 전류 集电极电流

IC

TC =80°C

900

A

피크 수집기 전류 集电极峰值 전류

I센티미터

tp=1ms,Tc=80°C

1800

A

게이트-이미터 전압 极 발사极 전압

VGES

-20

20

V

총 전력 소산 총 전력 손실

전tot

TC =25°C,개발 스위치 (IGBT)

8100

W

동전 전류 직류 정류 전류

IF

900

A

전류 최고 峰值 정면 전류

IFRM

tP=1ms

1800

A

급증 전류 浪涌电流

IFSM

VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, 반사상파

6700

A

IGBT 단축 회로 SOA IGBT 短路安全工作区

Tpsc

VCC =3400V,VCEMCHIP≤4500V VGE ≤15V,Tvj≤125°C

10

μs

격리 전압 绝缘 전압

V단독

1분, f=50Hz

10200

V

접점 온도 结温

Tvj

150

°C

교차점 작동 온도부산 작업 냉각

Tvj ((op)

-50

125

°C

케이스 온도 温

TC

-50

125

°C

보관 온도 저장 온도

TSTG

-50

125

°C

장착 모터 력 전동

ms

4

6

Nm

mT1

8

10

mT2

2

3

매개 변수/参数

상징/符号

조건/条件

분

유형

최대

UNIT

수집가 (- 발사자) 분산 전압

集电极- 방출极阻断 전압

V(BR) CES

VGE =0V,IC=10mA, TVj=25°C

4500

V

컬렉터-이미터 포화 전압

集电极- 발사폭과 전압

VCEsat

IC =900A, VGE =15V

TVj= 25°C

2.7

3.2

V

TVj=125°C

3.4

3.8

V

픽터 차단 전류 集电极截止电流 전류

ICES

VCE =4500V, VGE =0V

TVj= 25°C

10

mA

TVj=125°C

100

mA

포트 누설 전류 极漏电流

IGES

VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C

-500

500

부적절함

포트-에미터 임계 전압 极 발사极값 전압

VGE (th)

IC =240mA,VCE =VGE, Tvj =25°C

4.5

6.5

V

포트 충전 极电荷

Qg

IC =900A,VCE =2800V, VGE =-15V … 15V

8.1

μC

입력 용량 输入电容

Cies

VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C

105.6

NF

출력 용량 输出电容

C소

7.35

역전환 용량 역전환 전력

Cres

2.04

켜기 지연 시간 开通延延时间

Td(on)

VCC =2800V,

IC =900A,

Rg =2.2Ω ,

VGE =±15V,

Lσ=280nH,

感性负载

TVj = 25 °C

680

NS

TVj = 125 °C

700

상승 시간 上升时间

TR

TVj = 25 °C

230

TVj = 125 °C

240

차단 지연 시간 关断延迟时间

TD(끄다)

TVj = 25 °C

2100

NS

TVj = 125 °C

2300

하강 시간 下降时间

TF

TVj = 25 °C

1600

TVj = 125 °C

2800

팅 스위치 에너지 손실 开通 손실 에너지

이에

TVj = 25 °C

1900

mJ

TVj =125 °C

2500

그림 전환 에너지 손실 断断损耗能量 (단절 에너지 손실)

이끄다

TVj = 25 °C

3100

mJ

TVj =125 °C

3800

단락 전류 短路 전류

ISC

Tpsc≤ 10μs, VGE =15V, Tvj= 125°C,VCC = 3400V

3600

A