빠른 회복 다이오드 모듈

VRRM

유형 및 개요

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

1800V

MZx400-06-406F3

MZx400-08-406F3

MZx400-10-406F3

MZx400-12-406F3

MZx400-14-406F3

MZx400-16-406F3

MZx400-18-406F3

MZx400-18-406F3G

상징

특징

시험 조건

Tj( °C )

가치

UNIT

분

유형

최대

IF(AV)

평균 정방향 전류

180° 반 사인파 50Hz 단일 측면 냉각,TC=60 °C

150

400

A

IF (RMS)

RMS 정방향 전류

628

A

IRRM

반복 피크 전류

VRRM에서

150

70

mA

IFSM

서지 정방향 전류

10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM

150

8.30

kA

I2t

퓨징 조정을 위한 I2t

344

A ²s*103

VFO

임계 전압

150

1.0

V

rF

정방향 기울기 저항

0.85

m

VFM

피크 정방향 전압

IFM= 1200A

25

2.1

V

trr

역회복 시간

IFM=300A,tp=4000μs, -di/dt=20A/μs,VR=50V

150

4.0

μs

25

2.0

μs

Rth(j-c)

열 저항 접합부에서 케이스까지

칩당 단면 냉각

0.130

°C /W

Rth(c-h)

열 저항 케이스에서 방열판까지

칩당 단면 냉각

0.040

°C /W

비소

격리 전압

50Hz,R.M.S,t= 1분,Iiso:1mA(최대)

3000

V

Fm

단자 연결 토크(M10)

10.0

12.0

N·m

장착 토크(M6)

4.5

6.0

N·m

TVj

접점 온도

-40

150

°C

TSTG

저장 온도

-40

125

°C

Wt

무게

1580

g

개요

406F3