MTx820, MFx820, 쓰리스토르/다이오드 모듈, 공기 냉각

VRRM ,VDRM

유형 & 윤곽

600V

MTC820-06-416F3

MFC820-06-416F3

800V

MTC820-08-416F3

MFC820-08-416F3

1000V

MTC820-10-415F3

MFC820-10-416F3

1200V

MTC820-12-416F3

MFC820-12-416F3

1400V

MTC820-14-416F3

MFC820-14-416F3

1600V

MTC820-16-416F3

MFC820-16-416F3

1800V

MTC820-18-416F3

MFC820-18-416F3

1800V

MT820-18-416F3G

상징

특징

시험 조건

Tj(℃)

가치

UNIT

분

유형

최대

IT(AV)

평균 온 상태 전류

180° 반 사인파 50Hz 단일 측면 냉각, Tc=85℃

135

820

A

IT(RMS)

RMS 온 상태 전류

180。반 사인파 50Hz

1287

A

Idrm Irrm

반복 피크 전류

VDRM에서 VRRM에서

135

120

mA

ITSM

서지 온 상태 전류

10ms 반 시노스 파동, VR=0V

135

20.1

kA

I ²T

퓨징 조정을 위한 I2t

2020

A ²s* 10 ³

VTO

임계 전압

135

0.81

V

르티

온 상태 기울기 저항

0.24

mΩ

VTM

피크 온 상태 전압

ITM= 1500A

25

1.38

V

dv/dt

오프 상태 전압의 비판적 상승 속도

VDM=67%VDRM

135

1000

V/μs

di/dt

정전 전류의 급격한 증가율

게이트 소스 1.5A

tr ≤0.5μs 반복

135

200

A/μs

tgd

게이트 제어 지연 시간

IG= 1A 다이그/dt= 1A/μs

25

4

μs

Tq

회로 전환 차단 시간

ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs, di/dt=-10A/μs

135

250

μs

IGT

게이트 트리거 전류

VA= 12V, IA= 1A

25

30

250

mA

Vgt

게이트 트리거 전압

0.8

3.0

V

IH

유지 전류

10

300

mA

IL

래칭 전류

IA=1A IG=1A dig/dt=1A/μs tg=30us

25

1500

mA

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM=67%VDRM

135

0.25

V

IGD

트리거 게이트 전류가 아닌 전류

VDM=67%VDRM

135

5

mA

Rth(j-c)

열 저항 접합부에서 케이스까지

칩당 단면 냉각

0.047

℃/W

Rth(c-h)

열 저항 케이스에서 방열판까지

칩당 단면 냉각

0.015

℃/W

비소

격리 전압

50Hz,R.M.S,t= 1분,Iiso:1mA(최대)

3000

V

Fm

단자 연결 토크(M10)

10.0

12.0

N·m

장착 토크(M6)

4.5

6.0

N·m

TVj

접점 온도

-40

135

°C

TSTG

저장 온도

-40

125

°C

Wt

무게

1410

g

개요

416F3