MTx800 MFx800 MT800, 쓰리스토르/다이오드 모듈, 공기 냉각

VRRM,VDRM

유형 및 개요

600V

MTx800-06-410F3

MFx800-06-410F3

800V

MTx800-08-410F3

MFx800-08-410F3

1000V

MTx800-10-410F3

MFx800-10-410F3

1200V

MTx800-12-410F3

MFx800-12-410F3

1400V

MTx800-14-410F3

MFx800-14-410F3

1800V

MTx800-16-410F3

MFx800-16-410F3

1800V

MTx800-18-410F3

MFx800-18-410F3

1800V

MT800-18-410F3G

상징

특징

시험 조건

Tj( °C )

가치

UNIT

분

유형

최대

IT(AV)

평균 온 상태 전류

180° 반 사인파 50Hz

단면 냉각, TC=70 °C

125

800

A

IT(RMS)

RMS 온 상태 전류

1256

A

Idrm Irrm

반복 피크 전류

VDRM에서 VRRM에서

125

45

mA

ITSM

서지 온 상태 전류

VR=60%VRRM,t=10ms 반 사이스

125

22.0

kA

I2t

퓨징 조정을 위한 I2t

125

2420

103A2s

VTO

임계 전압

125

0.80

V

르티

온 상태 기울기 저항

0.24

mΩ

VTM

피크 온 상태 전압

ITM=2400A

25

1.68

V

dv/dt

오프 상태 전압의 비판적 상승 속도

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

정전 전류의 급격한 증가율

게이트 소스 1.5A

tr ≤0.5μs 반복

125

200

A/μs

IGT

게이트 트리거 전류

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

Vgt

게이트 트리거 전압

0.8

3.0

V

IH

유지 전류

10

200

mA

IL

래칭 전류

1500

mA

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

열 저항 접합부에서 케이스까지

칩당 단면 냉각

0.048

°C )/W

Rth(c-h)

열 저항 케이스에서 방열판까지

칩당 단면 냉각

0.020

°C )/W

비소

격리 전압

50Hz, R.M.S, t=1분, Iiso: 1mA(최대)

3000

V

Fm

터미널 연결 토크 (M12)

12.0

16.0

N·m

장착 토크 (M8)

10.0

12.0

N·m

TVj

접점 온도

-40

125

°C )

TSTG

저장 온도

-40

125

°C )

Wt

무게

3310

g

개요

410F3