MTG200,MTY200,타이리스터 모듈 (일립되지 않은 유형)

상징

특징

시험 조건

Tj( °C )

가치

UNIT

분

유형

최대

IT(AV)

평균 온 상태 전류

180° 반 사인파 50Hz

단면 냉각, TC=90 °C

125

200

A

IT(RMS)

RMS 온 상태 전류

314

A

Idrm Irrm

반복 피크 전류

VDRM에서 VRRM에서

125

20

mA

ITSM

서지 온 상태 전류

VR=60%VRRM, t=10ms 반 사이스

125

5.2

kA

I2t

퓨징 조정을 위한 I2t

125

135

10³A ²s

VTO

임계 전압

125

0.80

V

르티

온 상태 기울기 저항

1.15

mΩ

VTM

피크 온 상태 전압

ITM=600A

25

1.62

V

dv/dt

오프 상태 전압의 비판적 상승 속도

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

정전 전류의 급격한 증가율

게이트 소스 1.5A

tr ≤0.5μs 반복

125

100

A/μs

IGT

게이트 트리거 전류

VA=12V, IA=1A

25

30

150

mA

Vgt

게이트 트리거 전압

0.8

2.5

V

IH

유지 전류

10

180

mA

IL

래칭 전류

1000

mA

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

열 저항 접합부에서 케이스까지

180에서 。사인, 칩당 단면 냉각

0.13

°C /W

Rth(c-h)

열 저항 케이스에서 방열판까지

180에서 ° 사인, 칩당 단면 냉각

0.10

°C /W

Fm

단자 연결 토크(M6)

4.5

6.0

N·m

장착 토크(M6)

4.5

6.0

N·m

TVj

접점 온도

-40

125

°C

TSTG

저장 온도

-40

125

°C

Wt

무게

280

g

개요

213F4