고속 차단 사이리스터 모듈

상징

특징

시험 조건

Tj( °C )

가치

UNIT

분

유형

최대

IT(AV)

평균 온 상태 전류

180。반 사인파 50Hz 단면 냉각,Tc=85 °C

125

400

A

IT(RMS)

RMS 온 상태 전류

628

A

Idrm Irrm

반복 피크 전류

VDRM에서 VRRM에서

125

100

mA

I _TSM

서지 온 상태 전류

10ms 반 사인파 VR=60%VRRM

125

8

kA

I ²T

퓨징 조정을 위한 I2t

320

A ²s* 10 ³

V _에

임계 전압

125

0.83

V

르티

온 상태 기울기 저항

0.72

mΩ

V _TM

피크 온 상태 전압

ITM= 1200A

25

2.40

V

dv/dt

오프 상태 전압의 비판적 상승 속도

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

정전 전류의 급격한 증가율

게이트 소스 1.5A

tr ≤0.5μs 반복

125

200

A/μs

Qrr

회복 전하

ITM=300A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR= 100V

125

650

μC

Tq

회로 전환 차단 시간

ITM=300A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

15

35

μs

IGT

게이트 트리거 전류

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

게이트 트리거 전압

0.8

3.0

V

IH

유지 전류

10

200

mA

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

열 저항 접합부에서 케이스까지

칩당 단면 냉각

0.065

°C /W

Rth(c-h)

열 저항 케이스에서 방열판까지

칩당 단면 냉각

0.023

°C /W

비소

격리 전압

50Hz,R.M.S,t= 1분,Iiso:1mA(최대)

2500

V

Fm

단자 연결 토크(M10)

12.0

N·m

장착 토크(M6)

6.0

N·m

TVj

접점 온도

-40

115

°C

TSTG

저장 온도

-40

115

°C

Wt

무게

1500

g

개요

416F3