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간략한 소개
빠른 차단 사이리스터 모 듈 ,MK(H)x250 MK250 ,25 0A .공기 냉각,TECHSEM에서 생산.
VRRM,VDRM | 유형 및 개요 | |
600V | MKx250-06-415F3 | MHx250-06-415F3 |
800V | MKx250-08-415F3 | MHx250-08-415F3 |
1000V | MKx250-10-415F3 | MHx250-10-415F3 |
1200V | MKx250-12-415F3 | MHx250-12-415F3 |
1400V | MKx250-14-415F3 | MHx250-14-415F3 |
1600V | MKx250-16-415F3 | MHx250-16-415F3 |
1800V | MKx250-18-415F3 | MHx250-18-415F3 |
1800V | MK250-18-415F3G |
|
MKx는 모든 유형의 MKC, MKA, MKK
MHx는 모든 유형의 MHC, MHA, MHK
특징 :
전형적 응용
상징 |
특징 |
시험 조건 | Tj( °C ) | 가치 |
UNIT | ||
분 | 유형 | 최대 | |||||
IT(AV) | 평균 온 상태 전류 | 180° 반 사인파 50Hz 단면 냉각,Tc=85 °C |
125 |
|
| 250 | A |
IT(RMS) | RMS 온 상태 전류 |
|
| 392 | A | ||
Idrm Irrm | 반복 피크 전류 | VDRM에서 VRRM에서 | 125 |
|
| 80 | mA |
ITSM | 서지 온 상태 전류 | 10ms 반 사인파 VR=60%VRRM |
125 |
|
| 5.60 | kA |
I 2T | 퓨징 조정을 위한 I2t |
|
| 157 | 103A 2s | ||
VTO | 임계 전압 |
|
125 |
|
| 1.30 | V |
르티 | 온 상태 기울기 저항 |
|
| 0.38 | m | ||
VTM | 피크 온 상태 전압 | ITM=750A | 25 |
|
| 2.69 | V |
dv/dt | 오프 상태 전압의 비판적 상승 속도 | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 800 | V/μs |
di/dt | 정전 전류의 급격한 증가율 | 게이트 소스 1.5A tr ≤0.5μs 반복 | 125 |
|
| 200 | A/μs |
Tq | 회로 전환 차단 시간 | ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs | 125 | 20 |
| 40 | μs |
25 | 6 |
| 16 | μs | |||
IGT | 게이트 트리거 전류 |
VA= 12V, IA= 1A |
25 | 30 |
| 200 | mA |
Vgt | 게이트 트리거 전압 | 0.8 |
| 3.0 | V | ||
IH | 유지 전류 | 20 |
| 200 | mA | ||
IL | 래칭 전류 |
|
| 1000 | mA | ||
VGD | 비트리거 게이트 전압 | VDM= 67%VDRM | 125 |
|
| 0.2 | V |
Rth(j-c) | 열 저항 접합부에서 케이스까지 | 칩당 단면 냉각 |
|
|
| 0.100 | °C /W |
Rth(c-h) | 열 저항 케이스에서 방열판까지 | 칩당 단면 냉각 |
|
|
| 0.040 | °C /W |
비소 | 격리 전압 | 50Hz,R.M.S,t= 1분,Iiso:1mA(최대) |
| 2500 |
|
| V |
Fm | 단자 연결 토크(M10) |
|
| 10.0 |
| 12.0 | N·m |
장착 토크(M6) |
|
| 4.5 |
| 6.0 | N·m | |
TVj | 접점 온도 |
|
| -40 |
| 125 | °C |
TSTG | 저장 온도 |
|
| -40 |
| 125 | °C |
Wt | 무게 |
|
|
| 1260 |
| g |
개요 | 415F3 |
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