MFC55, 용접 사이리스터 정류기 모듈, 공랭식

VRRM,VDRM

유형 및 개요

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MFC55-08-224H3

MFC55-10-224H3

MFC55-12-224H3

MFC55-14-224H3

MFC55-16-224H3

MFC55-18-224H3

상징

특징

시험 조건

Tj( °C )

가치

UNIT

분

유형

최대

IT(AV)

평균 온 상태 전류

180° 반 사인파 50Hz

단일 측면 냉각, TC=85 °C

125

55

A

IT(RMS)

RMS 온 상태 전류

86

A

Idrm Irrm

반복 피크 전류

VDRM에서 VRRM에서

125

15

mA

ITSM

서지 온 상태 전류

VR=60%VRRM,,t= 10ms 반사인,

125

1.7

kA

I2t

퓨징 조정을 위한 I2t

125

14.5

103A2s

VTO

임계 전압

125

0.75

V

르티

온 상태 기울기 저항

4.05

mΩ

VTM

피크 온 상태 전압

ITM= 170A

25

1.60

V

dv/dt

오프 상태 전압의 비판적 상승 속도

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

정전 전류의 급격한 증가율

게이트 소스 1.5A

tr ≤0.5μs 반복

125

200

A/μs

IGT

게이트 트리거 전류

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

게이트 트리거 전압

0.6

2.5

V

IH

유지 전류

10

250

mA

IL

래칭 전류

1000

mA

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

열 저항 접합부에서 케이스까지

1800 사인에서. 칩당 단일 측면 냉각

0.470

°C /W

Rth(c-h)

열 저항 케이스에서 방열판까지

1800 사인에서. 칩당 단일 측면 냉각

0.150

°C /W

비소

격리 전압

50Hz,R.M.S,t= 1분,Iiso:1mA(최대)

3000

V

Fm

단자 연결 토크(M5)

2.5

4.0

N·m

장착 토크(M6)

4.5

6.0

N·m

TVj

접점 온도

-40

125

°C

TSTG

저장 온도

-40

125

°C

Wt

무게

100

g

개요

224H3