홈페이지 / 제품 / 사이리스터/다이오드 모듈 / 단相/삼相 직렬기 교량 모듈
간략한 소개
3단계 수정교 모듈,MDS200,TECHSEM에서 생산됨.
VRSM | VRRM | 유형 및 개요 |
900V | 800V | MDS200-08-411H5 |
1100V | 1000V | MDS200-10-411H5 |
1300V | 1200V | MDS200-12-411H5 |
1500V | 1400V | MDS200-14-411H5 |
1700V | 1600V | MDS200-16-411H5 |
1900V | 1800V | MDS200-18-411H5 |
기능：
전형적 응용
상징 |
특징 |
시험 조건 | Tj(°C) | 가치 |
UNIT | ||
분 | 유형 | 최대 | |||||
io | DC 출력 전류 | 3단계 전파 정제 회로, TC=100°C | 150 |
|
| 200 | A |
IRRM | 반복 피크 전류 | VRRM에서 | 150 |
|
| 12 | mA |
IFSM | 서지 정방향 전류 | 10ms 반 사인파 VR=0 |
150 |
|
| 1.5 | kA |
I2t | 퓨징 조정을 위한 I2t |
|
| 11.25 | A2s*103 | ||
VFO | 임계 전압 |
|
150 |
|
| 0.75 | V |
rF | 정방향 기울기 저항 |
|
| 2.0 | mΩ | ||
VFM | 피크 정방향 전압 | IFM=200A | 25 |
|
| 1.50 | V |
Rth(j-c) | 열 저항 접합부에서 케이스까지 | 단면 냉각, 총 |
|
|
| 0.10 | °C/W |
Rth(c-h) | 열 저항 케이스에서 방열판까지 | 단면 냉각, 총 |
|
|
| 0.07 | °C/W |
비소 | 격리 전압 | 50Hz,R.M.S,t= 1분,Iiso:1mA(최대) |
| 2500 |
|
| V |
Fm | 단자 연결 토크(M6) |
|
| 4.5 |
| 6.0 | N·m |
장착 토크 (M5) |
|
| 2.5 |
| 4.0 | N·m | |
TVj | 접점 온도 |
|
| -40 |
| 150 | °C |
TSTG | 저장 온도 |
|
| -40 |
| 125 | °C |
Wt | 무게 |
|
|
| 330 |
| g |
개요 | 411H5 | ||||||
우리의 전문 판매팀은 당신의 상담을 기다리고 있습니다.
제품 목록을 따라가면 관심 있는 질문을 할 수 있습니다.
EN
