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간략한 소개
Diode Modules(Non-isolated Type) ,MD 200,800V~1800V, 210F2NA, 210F2NK ,TECHSEM에서 생산됨.
V RRM |
유형 & 윤곽 |
|
800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V |
MD200-08-210F2NA MD200-10-210F2NA MD200-12-210F2NA MD200-14-210F2NA MD200-16-210F2NA MD200-18-210F2NA |
MD200-08-210F2NK MD200-10-210F2NK MD200-12-210F2NK MD200-14-210F2NK MD200-16-210F2NK MD200-18-210F2NK |
특징 :
전형적 응용 :
상징 |
특징 |
시험 조건 |
Tj( °C ) |
가치 |
UNIT |
||
분 |
유형 |
최대 |
|||||
IF(AV) |
평균 정방향 전류 |
180° 반 사인파 50Hz 단일 측면 냉각, TC=100 °C |
150 |
|
|
200 |
A |
IF(RMS) |
RMS 정방향 전류 |
|
|
314 |
A |
||
IRRM |
반복 피크 전류 |
VRRM에서 |
150 |
|
|
8 |
mA |
IFSM |
서지 정방향 전류 |
VR=60%VRRM, t=10ms 반 사이스 |
150 |
|
|
6.2 |
kA |
I2t |
퓨징 조정을 위한 I2t |
|
|
192 |
103A2s |
||
VFO |
임계 전압 |
|
150 |
|
|
0.80 |
V |
rF |
정방향 기울기 저항 |
|
|
0.96 |
mΩ |
||
VFM |
피크 정방향 전압 |
IFM=600A |
25 |
|
|
1.50 |
V |
Rth(j-c) |
열 저항 접합부에서 케이스까지 |
칩당 단면 냉각 |
|
|
|
0.20 |
。C/W |
Rth(c-h) |
열 저항 케이스에서 방열판까지 |
칩당 단면 냉각 |
|
|
|
0.10 |
。C/W |
Fm |
단자 연결 토크(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
장착 토크(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
|
TVj |
접점 온도 |
|
|
-40 |
|
150 |
°C |
TSTG |
저장 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
Wt |
무게 |
|
|
|
185 |
|
g |
개요 |
210F2NA, 210F2NK |
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