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간략한 소개
IGBT 모듈 ,CRRC에서 생산한 고전압 단일 스위치 IGBT 모듈. 3300V 400A.
특징
●SPT+저하 스위치용 칩 세트 손실 |
● 낮은 V CEsat |
●저속 운전 전력 |
●A 높은 용량의 lSiC 기판 전력 c 자전거 타기 능력 y |
●저온용 AlN 기판 저항 |
일반적 애플리케이션
●트랙션 드라이브 |
●DC 초퍼 |
●중압 전압 전자기기/변환기 |
최대 등급 값
매개변수 |
상징 |
조건 |
분 |
최대 |
UNIT |
컬렉터-이미터 전압 |
VCES |
VGE =0V,Tvj ≥25°C |
|
3300 |
V |
DC 집합 전류 |
IC |
TC =80°C |
|
400 |
A |
피크 컬렉터 전류 |
ICM |
tp=1ms,Tc=80°C |
|
800 |
A |
게이트-이미터 전압 |
VGES |
|
-20 |
20 |
V |
총 전력 손실 |
Ptot |
TC =25°C,스위치당(IGBT) |
|
7100 |
W |
동전 전류 |
IF |
|
|
400 |
A |
전류 최고 |
IFRM |
tP=1ms |
|
800 |
A |
전류 |
IFSM |
VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, 반사인파 |
|
3000 |
A |
IGBT 단회로 SOA |
tpsc |
VCC =2500V,VCEMCHIP ≤3300V VGE ≤15V,Tvj≤125°C |
|
10 |
μs |
격리 전압 |
Visol |
1분, f=50Hz |
|
10200 |
V |
접점 온도 |
TVj |
|
|
150 |
°C |
접합 작동 온도 |
TVj (op) |
|
-50 |
150 |
°C |
케이스 온도 |
Tc |
|
-50 |
125 |
°C |
보관 온도 |
TSTG |
|
-50 |
125 |
°C |
장착 모터 |
Ms |
원형 열기 ,M6 나사 |
4 |
6 |
Nm |
MT1 |
주요 터미널 ,M8 나사 |
8 |
10 |
IGBT 특성 값
매개변수 |
상징 |
조건 |
분 |
유형 |
최대 |
UNIT |
|
수집기 (- 발산기) 분산전압 |
V ((BR) CES |
VGE =0V,IC=5mA, Tvj=25°C |
3300 |
|
|
V |
|
수집기-출사기 포화 전압 |
VCEsat |
IC =400A, VGE =15V |
Tvj= 25°C |
|
3.0 |
|
V |
TVj=125°C |
|
3.6 |
|
V |
|||
집합 차단 전류 |
ICES |
VCE =3300V, VGE =0V |
Tvj= 25°C |
|
|
5 |
mA |
TVj=125°C |
|
|
50 |
mA |
|||
게이트 누설 전류 |
IGES |
VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C |
-500 |
|
500 |
부적절함 |
|
포트-에미터 임계 전압 |
VGE (th) |
IC = 80mA,VCE = VGE, Tvj = 25°C |
5.5 |
|
7.5 |
V |
|
게이트 요금 |
본부 |
IC =400A,VCE =1800V,VGE =-15V... 15V |
|
4.0 |
|
μC |
|
입력 용량 |
시스 |
VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C |
|
65 |
|
nF |
|
출력 용량 |
코스 |
|
3.7 |
|
|||
역전환 용량 |
크레스 |
|
0.8 |
|
|||
턴온 지연 시간 |
td(on) |
VCC=1800V IC=400A RG =2.3Ω, VGE =±15V, Lσ=280nH, 感性负载 |
Tvj = 25 °C |
|
650 |
|
nS |
Tvj = 125 °C |
|
750 |
|
||||
상승 시간 |
tr |
Tvj = 25 °C |
|
400 |
|
||
Tvj = 125 °C |
|
470 |
|
||||
차단 지연 시간 |
td(off) |
Tvj = 25 °C |
|
1600 |
|
nS |
|
Tvj = 125 °C |
|
1800 |
|
||||
하강 시간 |
tF |
Tvj = 25 °C |
|
1100 |
|
||
Tvj = 125 °C |
|
1200 |
|
||||
턴온 스위칭 손실 에너지 |
EON |
Tvj = 25 °C |
|
1400 |
|
mJ |
|
Tvj = 125 °C |
|
1800 |
|
||||
턴오프 스위칭 손실 에너지 |
EOFF |
Tvj = 25 °C |
|
1300 |
|
mJ |
|
Tvj = 125 °C |
|
1700 |
|
||||
단락 전류 |
ISC |
tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 2500V |
|
2500 |
|
A |
다이오드 특성 값
매개변수 |
상징 |
조건 |
분 |
유형 |
최대 |
UNIT |
|
전압 |
VF |
IF = 400A |
Tvj = 25 °C |
|
2.3 |
2.6 |
V |
Tvj = 125 °C |
|
2.35 |
2.6 |
||||
역 회전 전류 |
Irr |
VCC=1800V IC=400A RG =2.3Ω, VGE =±15V, Lσ=280nH, |
Tvj = 25 °C |
|
900 |
|
A |
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
||||
회복 전하 |
Qrr |
Tvj = 25 °C |
|
700 |
|
μC |
|
Tvj = 125 °C |
|
1000 |
|
||||
역회복 시간 |
trr |
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
nS |
|
Tvj = 125 °C |
|
2200 |
|
||||
역 회수 에너지 |
Erec |
Tvj = 25 °C |
|
850 |
|
mJ |
|
Tvj = 125 °C |
|
1300 |
|
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