IGBT 모듈 3300V

参数

符号

조건

최소값

特征값

최대값

单 位

极-发射极短路时的 집합 전압-발사 전압

V(BR)CES

VGE=0V,IC=10mA,Tvj =25°C

3300

V

집전극－발전극 포화 전압

VCEsat

IC=1500A,VGE=15V

Tvj =25°C

24

2.9

V

Tvj =125°C

2.95

3.4

V

Tvj =150°C

3.1

3.6

集电极截止电流 전류

ICES

VCE=3300V,VGE=0V

Tvj =25°C

1

mA

Tvj =125°C

90

mA

Tvj =150°C

150

极漏电流

IGES

VCE=0V,VGE=±20V,Tvj =125°C

1

uA

极- 발사极값 전압

VGE(번째)

IC=240mA,VCE=VGE,Tvj =25°C

5.5

7

V

极电荷

Qg

IC=1500A,VCE=1800V, VGE=-15V..15V

25

μC

输入电容

Cies

VCE=25V,VGE=0V,f=1MHz, Tvj =25°C

260

NF

역전달 용량

Cres

6

开通延迟

Td(on)

VCC=1800V,IC=1500A,

VGE=±15V,Cge=330nF,

Rg（에）=1.0Ω,Rg（끄다）=1.5Ω ,

Lσ =150nH,

感性负载

Tvj =25°C

750

NS

Tvj =125°C

730

Tvj =150°C

730

上升时间

TR

Tvj =25°C

340

Tvj =125°C

360

Tvj =150°C

360

关断延迟

Td(off)

VCC=1800V,IC=1500A,

VGE=±15V,Cge=330nF,

Rg（에）=1.0Ω,Rg（끄다）=1.5Ω ,

Lσ =150nH,

感性负载

Tvj =25°C

2100

NS

Tvj =125°C

2250

Tvj =150°C

2290

下降时间

TF

Tvj =25°C

540

Tvj =125°C

570

Tvj =150°C

580

开通能量

이에

VCC=1800V,IC=1500A,

VGE=±15V,Cge=330nF,

Rg（에）=1.0Ω,Rg（끄다）=1.5Ω ,

Lσ =150nH,

感性负载

Tvj =25°C

1450

mJ

Tvj =125°C

1900

Tvj =150°C

2100

关断能量

이끄다

VCC=1800V,IC=1500A,

VGE=±15V,Cge=330nF,

Rg（에）=1.0Ω ,Rg（끄다）=1.5Ω ,

Lσ =150nH,

感性负载

Tvj =25°C

2400

mJ

Tvj =125°C

2950

Tvj =150°C

3200

参数

符号

조건

최소값

特征값

최대값

단위

다이오드 정방향 평균 전압

VF

IF=1500A

Tvj =25°C

2.15

2.6

V

Tvj =125°C

2.25

2.7

Tvj =150°C

2.25

2.7

역향 회복 전류

Irr

VCC=1800V,

IC=1500A,

DIF/dt=4800A/

미국

Tvj =25°C

1250

A

Tvj =125°C

1420

A

Tvj =150°C

1150

역 복구 전하

Qrr

Tvj =25°C

880

μC

Tvj =125°C

1800

μC

Tvj =150°C

1980

역향 회복 에너지

이rec

Tvj =25°C

1550

mJ

Tvj =125°C

2450

Tvj =150°C

2720