IGBT 모듈 4500V

VCES

4500

V

VCE(sat)

(전형)

2.30

V

IC

(Max)

1200

A

ICRM)

(Max)

2400

A

符号
(기호)

参数名称
(매개변수)

테스트 조건
(테스트 조건)

数값
(value)

单 位
(단위)

VCES

集电极-발사극 전압
컬렉터-이미터 전압

VGE=0V, Tvj=25℃

4500

V

VGES

게이트-발사극 전압
게이트-이미터 전압

±20

V

IC

集电极电流
컬렉터-이미터 전압

Tvj=125℃, Tcase=85℃

1200

A

IC(PK)

集电极峰值 전류
피크 컬렉터 전류

1밀리초

2400

A

Pmax

트랜지스터 부분 최대 손실

최대 트랜지스터 전력 손실

Tvj=125℃, Tcase=25℃

12.5

KW

I²t

다이오드²t값
다이오드 I²t

VR=0V, tp=10ms, Tvj=125℃

530

kA²s

Visol

绝缘 전압(模块)

모듈당 절연 전압

短接 모든端子,端子与基板 사이에 전압을 가집니다
(베이스 플레이트에 공통 단자),
AC RMS, 1분, 50Hz

10200

V

QPD

局部放电电荷 (국부 방전 전하)(模块)
모듈당 부분 방전

IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

PC

크리핑 거리

크리페이지 거리

56mm

절연 간격

정리

26mm

내 누전 전기 추적 지수

CTI(임계 추적 지수)

>600

열 및 기계 데이터

符号
(기호)

参数名称
(매개변수)

테스트 조건
(테스트 조건)

최소
(Min)

최대
(Max)

单 位
(단위)

Rh(J-C)IGBT

영어:접합 케이스 열 저항

열 저항-IGBT

결합 케이스 고정 전력 소모
연속 소모-접합에서 케이스까지

8

K/kW

Rh(J-C)다이오드

다이오드 결합 케이스 열 저항
열 저항-다이오드

결합 케이스 고정 전력 소모
연속 소모 - 접합에서 케이스까지

16

K/kW

Rt(C-H)

접촉 열 저항(模块)
열 저항-
케이스에서 히트싱크까지 (모듈당)

력 전동5Nm(열전도 그리스1W/m · ℃)
장착 토크 5Nm
(장착 그리스 포함 1W/m · ℃)

6

K/kW

Tv

结温접점 온도

IGBT부분(IGBT)

125

°C

다이오드 부분(Diode)

125

°C

TSTG

저장 온도보관 온도 범위

-40

125

°C

m

력 전동나사 토크

설치 고정용-M6 장착 -M6

5

Nm

회로 상호 연결용-M4
전기 연결 -M4

2

Nm

회로 상호 연결용-M8
전기 연결 -M8

10

Nm

Tcase=25℃로 명시되지 않는 한

符号
(기호)

参数名称
(매개변수)

조건
(테스트 조건)

최 소
(Min)

전형
(전형)

최 대
(Max)

단위
(단위)

ICES

集电极截止电流 전류
컬렉터 차단 전류

VGE=OV,VcE=VCES

1

mA

VGE=OV,VcE=VCEs,Tcase=125°C

90

mA

IGES

极漏电流
게이트 누설 전류

VGE=±20V,VcE=0V

1

μA

VGE (th)

게이트-이미터 임계 전압
게이트 임계 전압

Ic=120mA,VGE=VCE

5.0

6.0

7.0

V

VCE(sa)

集电极-이미터 포화 전압
컬렉터-이미터 포화
전압

VGE=15V,Ic=1200A

2.3

2.8

V

VGE=15V,Ic=1200A,Tvj=125°C

3.0

3.5

V

IF

다이오드 정방향 직류 전류
다이오드 순방향 전류

DC

1200

A

IFRM

다이오드 정방향 반복 피크 전류
다이오드 최대 전류

tP=1ms

2400

A

vF(1

다이오드 정방향 전압
다이오드 순방향 전압

/F=1200A

2.4

2.9

V

/F=1200A,Tvj=125°C

2.7

3.2

V

시스

输入电容
입력 용량

VcE=25V,VGE=OV,f=1MHz

135

NF

Q₉

极电荷
게이트 요금

±15V

11.9

μC

크레스

역전달 용량
역전환 용량

VcE=25V,VGE=0V,f =1MHz

3.4

NF

LM

모듈 인덕턴스
모듈 인덕턴스

10

nH

RINT

내부 저항
내부 트랜지스터 저항

90

μΩ

ISC

短路 전류
단락 전류,Isc

Tvj=125°C,Vcc=3400V,
VGE≤15V,tp≤10μs,
VCE(max)=VCEs-L(2×di/dt,

IEC 60747-9

5300

A

td(of)

关断延迟时间
차단 지연 시간

Ic=1200A
VcE=2800V
Cge=220nF

L～180nH
VGE=±15V
RG(ON)=1.5Ω
RG(OFF)=2.7Ω

2700

NS

TF

下降时间
하강 시간

700

NS

EOFF

차단 손실
차단 에너지 손실

5800

mJ

tdon)

开通延延时间
턴온 지연 시간

720

NS

T

上升时间
상승 시간

270

NS

EON

개방 손실
켜기 에너지 손실

3200

mJ

Qm

다이오드 역회복 전하
다이오드 역회복 전하

/F=1200A
VcE =2800V
dip/dt =5000A/us

1200

μC

I

다이오드 역회복 전류
다이오드 역회복 전류

1350

A

Erec

다이오드 역회복 손실
다이오드 역회복 에너지

1750

mJ

td(of)

关断延迟时间
차단 지연 시간

Ic=1200A
VcE =2800V
Cge=220nF
L～180nH
VGE=±15V
RG(ON)=1.5Ω
RGOFF)=2.7Ω

2650

NS

TF

下降时间
하강 시간

720

NS

EOFF

차단 손실
차단 에너지 손실

6250

mJ

tdon)

开通延延时间
턴온 지연 시간

740

NS

T

上升时间
상승 시간

290

NS

EON

개방 손실
켜기 에너지 손실

4560

mJ

Q

다이오드 역회복 전하
다이오드 역회복 전하

/F=1200A
VcE=2800V
dip/dt =5000A/us

1980

μC

I

다이오드 역회복 전류
다이오드 역회복 전류

1720

A

Erec

다이오드 역회복 손실
다이오드 역회복 에너지

3250

mJ