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IGBT 모듈 3300V

IGBT 모듈 3300V

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YMIF1000-33,IGBT 모듈,단일 스위치 IGBT,CRRC

IGBT 모듈,3300V 1000A

Brand:
CRRC
Spu:
YMIF1000-33
  • 소개
  • 개요
소개

간략한 소개

CRRC에서 생산한 고전압 단일 스위치 IGBT 모듈. 3300V 1000A.

파라미터

VCES

3300 V

VCE(위성)

(전형) 2.40 V

IC

(Max) 1000 A

IC(RM)

(Max) 2000 A

전형적 응용

  • 견인동기
  • 모터 컨트롤러
  • 스마트 그리드
  • 높은 신뢰성 인버터

전형적 응용

  • 견인동기
  • 모터
  • 모터 컨트롤러
  • 스마트 그리드
  • 고신뢰성 인버터

절대 최대 정격

(기호)

(매개변수)

(테스트 조건)

(value)

(단위)

VCES

컬렉터-이미터 전압

VGE = 0V, TC= 25 °C

3300

V

VGES

게이트-이미터 전압

TC= 25 °C

± 20

V

I C

컬렉터-이미터 전류

TC = 95 °C

1000

A

IC(PK)

피크 컬렉터 전류

t P= 1ms

2000

A

P max

최대 트랜지스터 전력 소산

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

10.4

KW

I 2t

다이오드 I2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

320

kA2s

Visol

모듈당 절연 전압

공통 단자와 베이스 플레이트 연결),

AC RMS,1 분, 50Hz,TC= 25 °C

6000

V

Q PD

모듈당 부분 방전

IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C

10

PC

전기적 특성

(기호)

(매개변수)

(테스트 조건)

(Min)

(전형)

(Max)

(단위)

I CES

컬렉터 차단 전류

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C

60

mA

VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C

100

mA

I GES

게이트 누설 전류

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

게이트 임계 전압

I C= 80mA, VGE= VCE

5.50

6.10

7.00

V

VCE

(*1) (sat)

컬렉터-이미터 포화

전압

VGE= 15V, I C= 1000A

2.40

2.90

V

VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C

2.95

3.40

V

VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C

3.10

3.60

V

I F

다이오드 순방향 전류

DC

1000

A

I FRM

다이오드 최대 전류

t P = 1ms

2000

A

VF(*1)

다이오드 순방향 전압

I F= 1000A

2.10

2.60

V

I F= 1000A, Tvj= 125 ° C

2.25

2.70

V

I F= 1000A, Tvj= 150 ° C

2.25

2.70

V

C ies

입력 용량

VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz

170

NF

Q g

게이트 요금

±15V

17

μC

C res

역전환 용량

VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz

4

NF

L M

모듈 인덕턴스

15

nH

R INT

내부 트랜지스터 저항

165

μΩ

I SC

단락 전류, ISC

Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9

3900

A

td(off)

차단 지연 시간

I C =1000A

VCE =1800V

C GE = 220nF

L ~ 150nH

VGE = ±15V

RG(ON) = 1.5Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

1800

NS

t f

하강 시간

530

NS

E OFF

차단 에너지 손실

1600

mJ

td(on)

턴온 지연 시간

680

NS

t r

상승 시간

320

NS

EON

켜기 에너지 손실

1240

mJ

Q rr

다이오드 역회복 전하

I F =1000A

VCE =1800V

diF/dt =3300A/us

780

μC

I rr

다이오드 역회복 전류

810

A

E rec

다이오드 역회복 에너지

980

mJ

td(off)

차단 지연 시간

I C =1000A

VCE =1800V

C GE = 220nF

L ~ 150nH

VGE = ±15V

RG(ON) = 1.5Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

1940

NS

t f

하강 시간

580

NS

E OFF

차단 에너지 손실

1950

mJ

td(on)

턴온 지연 시간

660

NS

t r

상승 시간

340

NS

EON

켜기 에너지 손실

1600

mJ

Q rr

다이오드 역회복 전하

I F =1000A

VCE =1800V

diF/dt =3300A/us

1200

μC

I rr

다이오드 역회복 전류

930

A

개요

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