GD400SGY120C2S, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

수집가 전류 @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

630

400

A

I 센티미터

펄스 수집가 전류 t 전 =1 ms

800

A

전 D

최대 전력 소산 @ T j =175 o C

2083

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복 피크 역전압

1200

V

I F

다이오드 연속 전류

400

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

800

A

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도 성질

175

o C

T jop

작동점 온도

-40 에 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40 에 +125

o C

V Iso

고립 전압 RMS ,f=50 Hz ,t=1 분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (위성 )

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =400A, V GE =15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

I C =400A, V GE =15V, T j =125 o C

1.95

I C =400A, V GE =15V, T j =150 o C

2.00

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C = 10.0mA ,V CE = V GE ,T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

컬렉터 차단

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V,

T j =25 o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

1.9

ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1 MHz ,

V GE =0V

41.4

nF

C res

역전환

용량

1.16

nF

Q G

게이트 요금

V GE =- 15V…+15V

3.11

μC

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V, I C =400A, R G =2.0Ω,

V GE =±15V, T j =25 o C

257

nS

t r

상승 시간

96

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

628

nS

t f

하강 시간

103

nS

이 에

켜 Switching

손실

23.5

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

34.0

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V, I C =400A, R G =2.0Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

268

nS

t r

상승 시간

107

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

659

nS

t f

하강 시간

144

nS

이 에

켜 Switching

손실

35.3

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

51.5

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V, I C =400A, R G =2.0Ω,

V GE =±15V, T j = 150o C

278

nS

t r

상승 시간

118

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

680

nS

t f

하강 시간

155

nS

이 에

켜 Switching

손실

38.5

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

56.7

mJ

I SC

SC 데이터

t 전 ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 o C ,V CC =900V, V CEM ≤1200V

1600

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞

전압

I F =400A, V GE =0V, T j =25 o C

1.80

2.25

V

I F =400A, V GE =0V, T j = 125o C

1.85

I F =400A, V GE =0V, T j = 150o C

1.85

Q r

회복 전하

V R =600V, I F =400A,

-di /dt =5000A/μs V GE =- 15V T j =25 o C

38.0

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

285

A

이 rec

역회복 에너지

19

mJ

Q r

회복 전하

V R =600V, I F =400A,

-di /dt =5000A/μs V GE =- 15V T j = 125o C

66.5

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

380

A

이 rec

역회복 에너지

36.6

mJ

Q r

회복 전하

V R =600V, I F =400A,

-di /dt =5000A/μs V GE =- 15V T j = 150o C

76.0

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

399

A

이 rec

역회복 에너지

41.8

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC + EE ’

모듈 납 저항, 터미널 칩에게

0.18

mΩ

R thJC

교차점 -에 -사례 (1 IGBT )

교차점 -에 -사례 (1 다이오드 )

0.072

0.095

K/W

R thCH

사례 -에 -열기 (1 IGBT )

사례 -에 -열기 (1 다이오드 )

케이스-히트싱크 (모듈당)

0.018

0.023

0.010

K/W

M

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크 , 나사 M 6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

무게 모듈

300

g