IGBT 모듈 1200V

상징

설명

가치

UNIT

VCES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

VGES

게이트-이미터 전압

±20

V

IC

집합 전류 @ TC=25oC

@ TC=70도C

549

400

A

ICM

펄스 콜렉터 전류 tp=1ms

800

A

PD

최대 전력 소산 @ T =150oC

2659

W

상징

설명

가치

UNIT

VRRM

반복 피크 역전압

1200

V

IF

다이오드 연속 전류

400

A

IFM

다이오드 최대 순방향 전류 tp=1ms

800

A

상징

설명

가치

UNIT

Tjmax

최대 분기 온도

150

oC

Tjop

작동점 온도

-40에서 +125

oC

TSTG

보관 온도 범위

-40에서 +125

oC

비소

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =400A,V GE =15V, T j =25 O C

2.90

3.35

V

I C =400A,V GE =15V, T j =125 O C

3.60

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C = 16.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

4.5

5.5

6.5

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

0.6

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

26.0

NF

C res

역전환

용량

1.70

NF

Q g

게이트 요금

V GE =- 15...+15V

4.2

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =400A, R g =2.2Ω,

V GE =±15V, T j =25 O C

76

NS

T R

상승 시간

57

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

529

NS

T F

하강 시간

73

NS

이 에

켜 Switching

손실

5.2

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

23.2

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =400A, R g =2.2Ω,

V GE =±15V, T j = 125O C

81

NS

T R

상승 시간

62

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

567

NS

T F

하강 시간

81

NS

이 에

켜 Switching

손실

9.9

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

31.7

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =125 O C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

2800

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞

전압

I F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.96

2.31

V

I F =400A,V GE =0V,T j = 125O C

1.98

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j =25 O C

24.9

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

317

A

이 rec

역회복 에너지

16.0

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j = 125O C

35.5

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

391

A

이 rec

역회복 에너지

21.4

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 레시스타 칩에 터미널

0.18

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T)

커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.047

0.100

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드)

케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.015

0.031

0.010

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

무게 of 모듈

300

g