GD400HFQ120C2SD, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 o C

@ T C =100 o C

769

400

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

800

A

전 D

최대 전력 분산 @ T vj =1 75o C

2272

W

상징

설명

가치

UNIT

T vjmax

최대 분기 온도

175

o C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

V Iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t= 1분

2500

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =400A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.85

2.30

V

I C =400A,V GE =15V, T vj =125 o C

2.25

I C =400A,V GE =15V, T vj =150 o C

2.35

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =16.00 mA ,V CE = V GE ,T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

0.5

ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

43.2

nF

C res

역전환

용량

1.18

nF

Q G

게이트 요금

V GE =- 15...+15V

3.36

μC

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =400A, R G =2Ω, L S =45 nH ,

V GE =±15V, T vj =25 o C

288

nS

t r

상승 시간

72

nS

t d(off)

그림 지연 시간

314

nS

t f

하강 시간

55

nS

이 에

켜 Switching

손실

43.6

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

12.4

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =400A, R G =2Ω, L S =45 nH ,

V GE =±15V, T vj =125 o C

291

nS

t r

상승 시간

76

nS

t d(off)

그림 지연 시간

351

nS

t f

하강 시간

88

nS

이 에

켜 Switching

손실

57.6

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

17.1

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =400A, R G =2Ω, L S =45 nH ,

V GE =±15V, T vj =150 o C

293

nS

t r

상승 시간

78

nS

t d(off)

그림 지연 시간

365

nS

t f

하강 시간

92

nS

이 에

켜 Switching

손실

62.8

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

18.6

mJ

I SC

SC 데이터

t 전 ≤10μs, V GE =15V,

T vj =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1500

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞

전압

I F =400A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

I F =400A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.90

I F =400A,V GE =0V,T vj =150 o C

1.95

Q r

회복

충전

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=4130A/μs,V GE =- 15V, L S =45 nH ,T vj =25 o C

38.8

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

252

A

이 rec

역회복 에너지

11.2

mJ

Q r

회복

충전

V R =600V,I F =400A,

-di /dt =3860A/μs, V GE =- 15V, L S =45 nH ,T vj =125 o C

61.9

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

255

A

이 rec

역회복 에너지

18.7

mJ

Q r

회복

충전

V R =600V,I F =400A,

-di /dt =3720A/μs V GE =- 15V, L S =45 nH ,T vj =150 o C

75.9

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

257

A

이 rec

역회복 에너지

20.5

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.35

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T)

커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.066

0.115

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드)

케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.031

0.055

0.010

K/W

M

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

무게 of 모듈

300

g