IGBT 모듈 1200V

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

620

400

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

800

A

전 D

최대 전력 분산 @ T =175 O C

2272

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복 피크 역전압

1200

V

I F

다이오드 연속 전면 커 임대료

400

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

800

A

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =400A,V GE =15V, T j =25 O C

1.90

2.35

V

I C =400A,V GE =15V, T j = 125O C

2.40

I C =400A,V GE =15V, T j =150 O C

2.55

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C = 10.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 O C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

100

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

1.9

Ω

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =400A, R g =0.38Ω,

V GE =±15V, T j =25 O C

1496

NS

T R

상승 시간

200

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

1304

NS

T F

하강 시간

816

NS

이 에

켜 Switching

손실

27.6

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

20.8

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =400A, R g =0.38Ω,

V GE =±15V, T j = 125O C

1676

NS

T R

상승 시간

252

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

1532

NS

T F

하강 시간

872

NS

이 에

켜 Switching

손실

41.6

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

23.6

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =400A, R g =0.38Ω,

V GE =±15V, T j = 150O C

1676

NS

T R

상승 시간

260

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

1552

NS

T F

하강 시간

888

NS

이 에

켜 Switching

손실

46.0

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

24.0

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞

전압

I F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.90

2.35

V

I F =400A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

I F =400A,V GE =0V,T j = 150O C

1.90

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T j =25 O C

20.4

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

180

A

이 rec

역회복 에너지

6.8

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T j = 125O C

52.4

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

264

A

이 rec

역회복 에너지

19.5

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T j = 150O C

60.8

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

284

A

이 rec

역회복 에너지

22.6

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

15

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.25

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T)

부대와 부대 (D당) 요오드)

0.066

0.093

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (p er 다이오드)

케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.034

0.048

0.010

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

무게 of 모듈

300

g