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간략한 소개
IGBT 모듈 , STARPOWER에서 생산됨. 1200V 600A.
특징
일반적 응용 프로그램
절대 최대 등급 T C =25 o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
IGBT
상징 |
설명 |
가치 |
UNIT |
V CES |
컬렉터-이미터 전압 |
1200 |
V |
V GES |
게이트-이미터 전압 |
±20 |
V |
I C |
콜렉터 전류 @ T C =25 o C @ T C =100 o C |
480 300 |
A |
I 센티미터 |
펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms |
600 |
A |
전 D |
최대 전력 분산 @ T j =175 o C |
1613 |
W |
다이오드
상징 |
설명 |
가치 |
UNIT |
V RRM |
반복 피크 역전압 |
1200 |
V |
I F |
다이오드 연속 전면 커 임대료 |
300 |
A |
I Fm |
다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms |
600 |
A |
모듈
상징 |
설명 |
가치 |
UNIT |
T jmax |
최대 분기 온도 |
175 |
o C |
T jop |
작동점 온도 |
-40에서 +150 |
o C |
T STG |
보관 온도 범위 |
-40에서 +125 |
o C |
V Iso |
격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분 |
4000 |
V |
IGBT 특성 T C =25 o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
매개변수 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
UNIT |
|
VCE(sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 |
IC=300A,VGE=15V,Tj=25oC |
|
1.70 |
2.15 |
V |
IC=300A,VGE=15V,Tj=125oC |
|
1.95 |
|
|||
IC=300A,VGE=15V,Tj=150oC |
|
2.00 |
|
|||
VGE (th) |
포트-에미터 임계 전압 |
IC=7.50mA,VCE=VGE,Tj=25oC |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
ICES |
컬렉터 차단 전류 |
VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25도C |
|
|
1.0 |
mA |
IGES |
게이트-에미터 누출 전류 |
VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC |
|
|
400 |
부적절함 |
RGint |
내부 게이트 저항 |
|
|
2.5 |
|
ω |
시스 |
입력 용량 |
VCE=25V,f=1Mhz, VGE=0V |
|
31.1 |
|
nF |
크레스 |
역전환 용량 |
|
0.87 |
|
nF |
|
본부 |
게이트 요금 |
VGE=- 15…+15V |
|
2.33 |
|
μC |
td(on) |
턴온 지연 시간 |
VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj=25도C |
|
182 |
|
nS |
tr |
상승 시간 |
|
54 |
|
nS |
|
td(off) |
차단 지연 시간 |
|
464 |
|
nS |
|
tF |
하강 시간 |
|
72 |
|
nS |
|
EON |
팅 스위치 손실 |
|
10.6 |
|
mJ |
|
EOFF |
그림 전환 손실 |
|
25.8 |
|
mJ |
|
td(on) |
턴온 지연 시간 |
VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125도C |
|
193 |
|
nS |
tr |
상승 시간 |
|
54 |
|
nS |
|
td(off) |
차단 지연 시간 |
|
577 |
|
nS |
|
tF |
하강 시간 |
|
113 |
|
nS |
|
EON |
팅 스위치 손실 |
|
16.8 |
|
mJ |
|
EOFF |
그림 전환 손실 |
|
38.6 |
|
mJ |
|
td(on) |
턴온 지연 시간 |
VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150도C |
|
203 |
|
nS |
tr |
상승 시간 |
|
54 |
|
nS |
|
td(off) |
차단 지연 시간 |
|
618 |
|
nS |
|
tF |
하강 시간 |
|
124 |
|
nS |
|
EON |
팅 스위치 손실 |
|
18.5 |
|
mJ |
|
EOFF |
그림 전환 손실 |
|
43.3 |
|
mJ |
|
|
ISC |
SC 데이터 |
tP≤10μs,VGE=15V, Tj=150oC,VCC=900V,VCEM≤1200V |
|
1200 |
|
A |
다이오드 특성 T C =25 o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
매개변수 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
UNIT |
|
VF |
다이오드 앞 전압 |
IF=300A,VGE=0V,Tj=25oC |
|
1.65 |
2.10 |
V |
IF=300A,VGE=0V,Tj=125oC |
|
1.65 |
|
|||
IF=300A,VGE=0V,Tj=150oC |
|
1.65 |
|
|||
Qr |
회복 전하 |
VCC=600V,IF=300A -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj=25oC |
|
29 |
|
μC |
IRM |
피크 역전 회복 전류 |
|
318 |
|
A |
|
Erec |
역 회수 에너지 |
|
18.1 |
|
mJ |
|
Qr |
회복 전하 |
VCC=600V,IF=300A -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj= 125oC |
|
55 |
|
μC |
IRM |
피크 역전 회복 전류 |
|
371 |
|
A |
|
Erec |
역 회수 에너지 |
|
28.0 |
|
mJ |
|
Qr |
회복 전하 |
VCC=600V,IF=300A -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj= 150oC |
|
64 |
|
μC |
IRM |
피크 역전 회복 전류 |
|
390 |
|
A |
|
Erec |
역 회수 에너지 |
|
32.8 |
|
mJ |
모듈 특성 T C =25 o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
매개변수 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
UNIT |
LCE |
방랑 인덕턴스 |
|
|
20 |
nH |
RCC+EE |
모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지 |
|
0.35 |
|
mΩ |
RthJC |
커스 연결 (IGBT) 커스 (디오드당) 에 대한 연결 |
|
|
0.093 0.155 |
K/W |
|
RthCH |
케이스-히트싱크 (IGBT당) 케이스-히트싱크 (다이오드당) 케이스-히트싱크 (모듈당) |
|
0.016 0.027 0.010 |
|
K/W |
M |
터미널 연결 토크, 스크루 M6 장착 토크, 스크루 M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.M |
G |
모듈의 무게 |
|
300 |
|
g |
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