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간략한 소개
IGBT 모듈 , STARPOWER에서 생산됨. 1200V 600A.
특징
일반적 신청서
절대 최대 등급 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
IGBT
상징 | 설명 | 가치 | UNIT |
V CES | 컬렉터-이미터 전압 | 1200 | V |
V GES | 게이트-이미터 전압 | ±20 | V |
I C | 콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =100 O C | 480 300 | A |
I 센티미터 | 펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms | 600 | A |
전 D | 최대 전력 분산 @ T j =175 O C | 1613 | W |
다이오드
상징 | 설명 | 가치 | UNIT |
V RRM | 반복 피크 역전압 | 1200 | V |
I F | 다이오드 연속 전면 커 임대료 | 300 | A |
I Fm | 다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms | 600 | A |
모듈
상징 | 설명 | 가치 | UNIT |
T jmax | 최대 분기 온도 | 175 | O C |
T jop | 작동점 온도 | -40에서 +150 | O C |
T STG | 보관 온도 범위 | -40에서 +125 | O C |
V iso | 격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분 | 4000 | V |
IGBT 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | UNIT |
VCE(sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 | IC=300A,VGE=15V,Tj=25oC |
| 1.70 | 2.15 |
V |
IC=300A,VGE=15V,Tj=125oC |
| 1.95 |
| |||
IC=300A,VGE=15V,Tj=150oC |
| 2.00 |
| |||
VGE (th) | 포트-에미터 임계 전압 | IC=7.50mA,VCE=VGE,Tj=25oC | 5.2 | 6.0 | 6.8 | V |
ICES | 컬렉터 차단 전류 | VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25도C |
|
| 1.0 | mA |
IGES | 게이트-에미터 누출 전류 | VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC |
|
| 400 | 부적절함 |
RGint | 내부 게이트 저항 |
|
| 2.5 |
| Ω |
시스 | 입력 용량 | VCE=25V,f=1Mhz, VGE=0V |
| 31.1 |
| NF |
크레스 | 역전환 용량 |
| 0.87 |
| NF | |
본부 | 게이트 요금 | VGE=- 15…+15V |
| 2.33 |
| μC |
td(on) | 턴온 지연 시간 |
VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj=25도C |
| 182 |
| NS |
tr | 상승 시간 |
| 54 |
| NS | |
td(off) | 차단 지연 시간 |
| 464 |
| NS | |
TF | 하강 시간 |
| 72 |
| NS | |
EON | 팅 스위치 손실 |
| 10.6 |
| mJ | |
EOFF | 그림 전환 손실 |
| 25.8 |
| mJ | |
td(on) | 턴온 지연 시간 |
VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125도C |
| 193 |
| NS |
tr | 상승 시간 |
| 54 |
| NS | |
td(off) | 차단 지연 시간 |
| 577 |
| NS | |
TF | 하강 시간 |
| 113 |
| NS | |
EON | 팅 스위치 손실 |
| 16.8 |
| mJ | |
EOFF | 그림 전환 손실 |
| 38.6 |
| mJ | |
td(on) | 턴온 지연 시간 |
VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150도C |
| 203 |
| NS |
tr | 상승 시간 |
| 54 |
| NS | |
td(off) | 차단 지연 시간 |
| 618 |
| NS | |
TF | 하강 시간 |
| 124 |
| NS | |
EON | 팅 스위치 손실 |
| 18.5 |
| mJ | |
EOFF | 그림 전환 손실 |
| 43.3 |
| mJ | |
ISC |
SC 데이터 | tP≤10μs,VGE=15V, Tj=150oC,VCC=900V,VCEM≤1200V |
|
1200 |
|
A |
다이오드 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | UNIT |
VF | 다이오드 앞 전압 | IF=300A,VGE=0V,Tj=25oC |
| 1.65 | 2.10 |
V |
IF=300A,VGE=0V,Tj=125oC |
| 1.65 |
| |||
IF=300A,VGE=0V,Tj=150oC |
| 1.65 |
| |||
Qr | 회복 전하 | VCC=600V,IF=300A -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj=25oC |
| 29 |
| μC |
IRM | 피크 역전 회복 전류 |
| 318 |
| A | |
Erec | 역 회수 에너지 |
| 18.1 |
| mJ | |
Qr | 회복 전하 | VCC=600V,IF=300A -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj= 125oC |
| 55 |
| μC |
IRM | 피크 역전 회복 전류 |
| 371 |
| A | |
Erec | 역 회수 에너지 |
| 28.0 |
| mJ | |
Qr | 회복 전하 | VCC=600V,IF=300A -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj= 150oC |
| 64 |
| μC |
IRM | 피크 역전 회복 전류 |
| 390 |
| A | |
Erec | 역 회수 에너지 |
| 32.8 |
| mJ |
모듈 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 | 매개변수 | 최소. | 전형적인. | 최대. | UNIT |
LCE | 방랑 인덕턴스 |
|
| 20 | nH |
RCC+EE | 모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지 |
| 0.35 |
| mΩ |
RthJC | 커스 연결 (IGBT) 커스 (디오드당) 에 대한 연결 |
|
| 0.093 0.155 | K/W |
RthCH | 케이스-히트싱크 (IGBT당) 케이스-히트싱크 (다이오드당) 케이스-히트싱크 (모듈당) |
| 0.016 0.027 0.010 |
| K/W |
m | 터미널 연결 토크, 스크루 M6 장착 토크, 스크루 M6 | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | N.M |
g | 모듈의 무게 |
| 300 |
| g |
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