IGBT 모듈 1700V

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1700

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

396

225

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 = 1밀리초

450

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =175 O C

1530

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복 피크 역전압

1700

V

I F

다이오드 연속 전면 커 임대료

225

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

450

A

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =225A,V GE =15V, T j =25 O C

1.85

2.20

V

I C =225A,V GE =15V, T j =125 O C

2.25

I C =225A,V GE =15V, T j =150 O C

2.35

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =9.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

2.8

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

27.1

NF

C res

역전환

용량

0.66

NF

Q g

게이트 요금

V GE =- 15...+15V

2.12

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =225A, R Gon =3.3Ω, R 고프 =6.2Ω, V GE =±15V,

T j =25 O C

187

NS

T R

상승 시간

76

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

587

NS

T F

하강 시간

350

NS

이 에

켜 Switching

손실

56.1

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

52.3

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =225A, R Gon =3.3Ω, R 고프 =6.2Ω, V GE =±15V,

T j = 125O C

200

NS

T R

상승 시간

85

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

693

NS

T F

하강 시간

662

NS

이 에

켜 Switching

손실

75.9

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

80.9

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =225A, R Gon =3.3Ω, R 고프 =6.2Ω, V GE =±15V,

T j = 150O C

208

NS

T R

상승 시간

90

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

704

NS

T F

하강 시간

744

NS

이 에

켜 Switching

손실

82.8

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

87.7

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

900

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞

전압

I F =225A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

I F =225A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

I F =225A,V GE =0V,T j = 150O C

1.95

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =25 O C

63.0

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

352

A

이 rec

역회복 에너지

37.4

mJ

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =125 O C

107

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

394

A

이 rec

역회복 에너지

71.0

mJ

Q R

회복 전하

V R =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =150 O C

121

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

385

A

이 rec

역회복 에너지

82.8

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

ΔR/R

오차 of R 100

T C = 100 O C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

전 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

k

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

1.10

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T)

커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.098

0.158

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (p er 다이오드)

케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.029

0.047

0.009

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 스크루브 M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

g

무게 of 모듈

350

g