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간단한 소개:
YT에 의한 맞춤형 생산, StakPak 패키지, IGBT 모듈 fWD와 함께.
특징
응용 프로그램
최대 정격 가치
매개변수 |
상징 |
조건 |
가치 |
UNIT |
컬렉터-이미터 전압 |
V CES |
V GE =0V, T vj =25 ° C |
4500 |
V |
DC 수집기 Cu 임대료 |
I C |
T C =100 ° C,T vj =125 ° C |
2000 |
A |
피크 컬렉터 전류 |
I 센티미터 |
t 전 =1ms |
4000 |
A |
포트 -에미터 전압 |
V GES |
|
± 20 |
V |
총 전력 소산 |
전 tot |
T C =25 ° C,T vj =125 ° C |
20800 |
W |
DC 앞면 Cu 임대료 |
I F |
|
2000 |
A |
최고 앞선 Cur 임대료 |
I FRM |
t 전 =1ms |
4000 |
A |
전류 |
I FSM |
V R =0V,T vj =125 ° C, t 전 =10ms, 반신파 |
14000 |
A |
IGBT 단회로 SOA |
t psc |
V CC =3400V, V CEM 칩 ≤4500V V GE ≤15V,T vj ≤125 ° C |
10 |
μs |
최대 접점 온도 |
T vj (최대 ) |
|
125 |
°C |
교차점 작동 온도 |
T vj (op ) |
|
-40~125 |
°C |
케이스 온도 |
T C |
|
-40~125 |
°C |
보관 온도 |
T sTG |
|
-40~70 |
°C |
장착 힘 |
F M |
|
60~75 |
kN |
IGBT 특성 값
매개변수 |
상징 |
조건 |
가치 |
UNIT |
|||
최소. |
전형적인. |
최대. |
|||||
수집기-출력기 분산 전압 |
V ((BR) CES |
VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25°C |
4500 |
|
|
V |
|
수집기-출사기 포화 전압 |
VCE(sat) |
IC=2000A, VGE=15V |
TVj=25°C |
|
2.70 |
3.05 |
V |
TVj=125°C |
|
3.35 |
3.85 |
V |
|||
콜렉터-에미터 단절 전류 |
ICES |
VCE=4500V, VGE=0V |
TVj=25°C |
|
|
1 |
mA |
TVj=125°C |
|
15 |
100 |
mA |
|||
게이트-에미터 누출 전류 |
IGES |
VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125°C |
-500 |
|
500 |
부적절함 |
|
포트-에미터 임계 전압 |
VGE (th) |
IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25°C |
6.7 |
|
7.7 |
V |
|
게이트 요금 |
본부 |
IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V |
|
10 |
|
μC |
|
입력 용량 |
시스 |
VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25°C |
|
213 |
|
nF |
|
출력 용량 |
코스 |
|
15.3 |
|
nF |
||
역전환 용량 |
크레스 |
|
4.7 |
|
nF |
||
내부 게이트 저항 |
RGint |
|
|
0 |
|
ω |
|
턴온 지연 시간 |
td(on) |
IC=2000A, VCE=2800V, VGE=±15V, RGon=1.8Ω, RGoff=8.2Ω, Cge=330nF, LS=140nH 인덕티브 로드 |
TVj=25°C |
|
1100 |
|
nS |
TVj=125°C |
|
900 |
|
nS |
|||
상승 시간 |
tr |
TVj=25°C |
|
400 |
|
nS |
|
TVj=125°C |
|
450 |
|
nS |
|||
차단 지연 시간 |
td(off) |
TVj=25°C |
|
3800 |
|
nS |
|
TVj=125°C |
|
4100 |
|
nS |
|||
하강 시간 |
tF |
TVj=25°C |
|
1200 |
|
nS |
|
TVj=125°C |
|
1400 |
|
nS |
|||
켜기 전원 전환 |
EON |
TVj=25°C |
|
14240 |
|
mJ |
|
TVj=125°C |
|
15730 |
|
mJ |
|||
그라운드 스위치 에너지 |
EOFF |
TVj=25°C |
|
6960 |
|
mJ |
|
TVj=125°C |
|
8180 |
|
mJ |
|||
단락 전류 |
ISC |
VGE≤15V, tpsc≤10μs, VCC=3400V, Tvj=125°C VCEM CHIP≤4500V |
|
8400 |
|
A |
다이오드 특성 값
매개변수 |
상징 |
조건 |
가치 |
UNIT |
|||
최소. |
전형적인. |
최대. |
|||||
전압 |
VF |
IF=2000A |
TVj=25°C |
|
2.60 |
|
V |
TVj=125°C |
|
2.85 |
|
V |
|||
역 회전 전류 |
Irr |
IF=2000A, VR=2800V, VGE=15V, RGon=1.8Ω, LS=140nH, 인덕티브 로드 |
TVj=25°C |
|
1620 |
|
A |
TVj=125°C |
|
1970 |
|
A |
|||
역환수료 |
Qrr |
TVj=25°C |
|
1750 |
|
uC |
|
TVj=125°C |
|
2700 |
|
uC |
|||
역회복 시간 |
trr |
TVj=25°C |
|
4.0 |
|
미국 |
|
TVj=125°C |
|
5.1 |
|
미국 |
|||
역회복 에너지 손실 |
Erec |
TVj=25°C |
|
2350 |
|
mJ |
|
TVj=125°C |
|
3860 |
|
mJ |
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