IGBT 모듈 4500V

매개변수

상징

조건

가치

UNIT

수집가 ‐에미터 전압

V CES

V GE =0V, T vj =25 ° C

4500

V

DC 수집가 전류

I C

T C =100 ° C, T vj =125 ° C

3000

A

최고 수집가 전류

I 센티미터

T 전 =1 ms

6000

A

포트 ‐에미터 전압

V GES

± 20

V

총 전력 소산

전 tot

T C =25 ° C, T vj =125 ° C

31200

W

DC 앞으로 전류

I F

3000

A

최고 앞으로 전류

I FRM

T 전 =1 ms

6000

A

급증 전류

I FSM

V R =0V, T vj =125 ° C,

T 전 =10 ms ,반 ‐사인파

21000

A

IGBT 짧은 회로 SOA

T psc

V CC =3400V, V CEM 칩 ≤4500V V GE ≤15V, T vj ≤125 ° C

10

μs

최대 교차점 온도

T vj (최대 )

125

°C

교차점 작동 온도

T vj (op )

‐40~125

°C

사례 온도

T C

‐40~125

°C

저장 온도

T STG

‐40~70

°C

장착 힘

F m

90~130

KN

매개변수

상징

조건

가치

UNIT

분 .

전형적인.

최대 .

전압

V F

I F =3000A

T vj =25 °C

2.60

V

T vj =125 °C

2.85

V

반전 회복 전류

I rr

IF=3000A, VR=2800V,

diF/dt=‐2500A/μs, VGE=15V,

RGon=1.5Ω,

LS=140nH

인덕티브 로드

T vj =25 °C

1690

A

T vj =125 °C

2750

A

반전 회복 전하

Q rr

T vj =25 °C

3000

uC

T vj =125 °C

3950

uC

반전 복구 시간

T rr

T vj =25 °C

1.80

미국

T vj =125 °C

2.20

미국

반전 회복 에너지 손실

이 rec

T vj =25 °C

4000

mJ

T vj =125 °C

6300

mJ