IDG75X12T2,IGBT 디스크리트,STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

150

75

A

I 센티미터

펄스 수집가 전류 T 전 제한된 에 의해 T vjmax

225

A

전 D

최대 전력 분산 @ T vj =175 O C

852

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

75

A

I Fm

펄스 수집가 전류 T 전 제한된 에 의해 T vjmax

225

A

상징

설명

가치

UNIT

T vjop

작동점 온도

-40에서 +175

O C

T STG

보관 온도 범위

-55에서 +150

O C

T s

용접 온도 1.6mm f 로미안 10s

260

O C

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =75A,V GE =15V, T vj =25 O C

1.75

2.20

V

I C =75A,V GE =15V, T vj =150 O C

2.10

I C =75A,V GE =15V, T vj =175 O C

2.20

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =3.00 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C

5.0

5.8

6.5

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C

250

μA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C

100

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

2.0

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

6.58

NF

C 소

출력 용량

0.40

C res

역전환 용량

0.19

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15...+15V

0.49

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =75A, R g =4.7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

T vj =25 O C

41

NS

T R

상승 시간

135

NS

T d(off)

그림 지연 시간

87

NS

T F

하강 시간

255

NS

이 에

켜 Switching 손실

12.5

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

3.6

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =75A, R g =4.7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

T vj =150 O C

46

NS

T R

상승 시간

140

NS

T d(off)

그림 지연 시간

164

NS

T F

하강 시간

354

NS

이 에

켜 Switching 손실

17.6

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

6.3

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =75A, R g =4.7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

T vj =175 O C

46

NS

T R

상승 시간

140

NS

T d(off)

그림 지연 시간

167

NS

T F

하강 시간

372

NS

이 에

켜 Switching 손실

18.7

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

6.7

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤10μs, V GE =15V,

T vj =175 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

300

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F =75A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.75

2.20

V

I F =75A,V GE =0V,T vj =15 0O C

1.75

I F =75A,V GE =0V,T vj =17 5O C

1.75

trr

다이오드 역전 복구 시간

V R =600V,I F =75A,

-di/dt=370A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

T vj =25 O C

267

NS

Q R

회복 전하

4.2

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

22

A

이 rec

역회복 에너지

1.1

mJ

trr

다이오드 역전 복구 시간

V R =600V,I F =75A,

-di/dt=340A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

T vj =150 O C

432

NS

Q R

회복 전하

9.80

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

33

A

이 rec

역회복 에너지

2.7

mJ

trr

다이오드 역전 복구 시간

V R =600V,I F =75A,

-di/dt=320A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

T vj =175 O C

466

NS

Q R

회복 전하

11.2

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

35

A

이 rec

역회복 에너지

3.1

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R thJC

부문별 (IGB당) T) 부대와 부대 (D당) 요오드)

0.176 0.371

K/W

R thJA

환경과의 연결

40

K/W