홈페이지 / 제품 / 캡슐형 장치 / 위상 제어 사이리스터
IT(AV) |
1500A |
VDRM, VRRM |
8000V 8500V |
특징 :
전형적 응용 :
상징 |
특징 |
시험 조건 |
Tj(℃ ) |
가치 |
UNIT |
|||
분 |
유형 |
최대 |
||||||
IT(AV) |
평균 온 상태 전류 |
180。반 사인파 50Hz 양면 냉각 |
TC=70 °C |
115 |
|
|
1500 |
A |
Idrm Irrm |
반복 피크 전류 |
VDRM에서 tp= 10ms VRRM에서 tp= 10ms |
115 |
|
|
600 |
mA |
|
ITSM |
서지 온 상태 전류 |
10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM |
115 |
|
|
17 |
kA |
|
I2t |
퓨징 조정을 위한 I2t |
|
|
1445 |
103A2s |
|||
VTO |
임계 전압 |
|
115 |
|
|
1.35 |
V |
|
르티 |
온 상태 기울기 저항 |
|
|
0.53 |
mΩ |
|||
VTM |
피크 온 상태 전압 |
ITM= 1500A, F=70kN |
25 |
|
|
2.00 |
V |
|
dv/dt |
오프 상태 전압의 비판적 상승 속도 |
VDM=0.67VDRM |
115 |
|
|
2000 |
V/μs |
|
di/dt |
정전 전류의 급격한 증가율 |
VDM=67%VDRM 게이트 펄스 tr ≤0.5μs IGM= 1.5A |
115 |
|
|
200 |
A/μs |
|
Qrr |
회복 전하 |
ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V |
115 |
|
5000 |
|
μC |
|
IGT |
게이트 트리거 전류 |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
40 |
|
300 |
mA |
|
Vgt |
게이트 트리거 전압 |
0.8 |
|
3.0 |
V |
|||
IH |
유지 전류 |
25 |
|
200 |
mA |
|||
VGD |
비트리거 게이트 전압 |
VDM=67%VDRM |
115 |
|
|
0.3 |
V |
|
Rth(j-c) |
열 저항 접합부에서 케이스까지 |
양면 냉각 클램핑 힘 70kN |
|
|
|
0.009 |
。C /W |
|
Rth(c-h) |
열 저항 케이스에서 방열판까지 |
|
|
|
0.002 |
|||
Fm |
장착 힘 |
|
|
63 |
70 |
84 |
KN |
|
TVj |
접점 온도 |
|
|
-40 |
|
115 |
°C |
|
TSTG |
저장 온도 |
|
|
-40 |
|
140 |
°C |
|
Wt |
무게 |
|
|
|
1920 |
|
g |
|
개요 |
KT78dT |
우리의 전문 판매팀은 당신의 상담을 기다리고 있습니다.
제품 목록을 따라가면 관심 있는 질문을 할 수 있습니다.