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H50KPU, 위상 제어 사이리스터

부품 번호 H50KPU-KT50dT

Brand:
기술 세미나
Spu:
H50KPU-KT50dT
  • 소개
소개

IT(AV)

600a

VDRM, VRRM 

7500V 8000V

8500V

특징:

  • 중앙 증폭 게이트
  • 세라믹 절연체가 있는 금속 케이스
  • 낮은 온 상태 및 스위칭 손실

전형적인 응용 프로그램:

  • AC 컨트롤러
  • DC 및 AC 모터 제어

제어 정류기

 

상징

 

특징

 

시험 조건

Tj(C)

가치

 

단위

종류

최대

IT(AV)

평균 온 상태 전류

180반 사인파 50Hz

양면 냉각, TC=70c

125

 

 

600

a

VDRM VRRM

반복 피크 오프 상태 전압 반복 피크 역전압

 

tp=10ms

 

125

 

7300

 

 

8500

 

v

Idrm Irrm

반복 피크 전류

@ VDRM @ VRRM

125

 

 

200

엄마

ITSM

서지 온 상태 전류

10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM

125

 

 

9.8

ka

I2t

퓨징 조정을 위한 I2t

 

 

480

A2s*103

VTO

임계 전압

 

 

125

 

 

1.04

v

르티

온 상태 기울기 저항

 

 

2.33

VTM

피크 온 상태 전압

ITM=1000A, F=24kN

25

 

 

2.95

v

dv/dt

오프 상태 전압의 비판적 상승 속도

VDM=0.67VDRM

125

 

 

2000

V/μs

di/dt

정전 전류의 급격한 증가율

VDM= 67%VDRM에서 2000A,

게이트 펄스 tr ≤0.5μs    IGM2.0a

 

125

 

 

 

100

 

A/μs

Qrr

회복 전하

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

 

2500

 

μC

IGT

게이트 트리거 전류

 

 

VA=12V, IA=1A

 

 

25

40

 

300

엄마

Vgt

게이트 트리거 전압

0.8

 

3.0

v

IH

유지 전류

25

 

200

엄마

il

래칭 전류

 

 

500

엄마

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM=0.67VDRM

125

 

 

0.3

v

Rth(j-c)

열 저항 접합부에서 케이스까지

1800 사인파에서, 양면 냉각 클램핑 힘 24.0kN

 

 

 

0.022

C /W

Rth(c-h)

열 저항 케이스에서 방열판까지

 

 

 

0.005

C /W

fm

장착 힘

 

 

19

24

26

kn

TVj

접점 온도

 

 

-40

 

125

c

TSTG

저장 온도

 

 

-40

 

140

c

wt

무게

 

 

 

560

 

g

윤곽

KT50dT

 

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