H50KPU, 위상 제어 사이리스터

상징

특징

시험 조건

Tj(℃ )

가치

UNIT

분

유형

최대

IT(AV)

평균 온 상태 전류

180° 반 사인파 50Hz

양면 냉각, TC=70 。C

125

600

A

VDRM VRRM

반복 피크 오프 상태 전압 반복 피크 역전압

tp=10ms

125

7300

8500

V

Idrm Irrm

반복 피크 전류

@ VDRM @ VRRM

125

200

mA

ITSM

서지 온 상태 전류

10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM

125

9.8

kA

I2t

퓨징 조정을 위한 I2t

480

A2s*103

VTO

임계 전압

125

1.04

V

르티

온 상태 기울기 저항

2.33

mΩ

VTM

피크 온 상태 전압

ITM=1000A, F=24kN

25

2.95

V

dv/dt

오프 상태 전압의 비판적 상승 속도

VDM=0.67VDRM

125

2000

V/μs

di/dt

정전 전류의 급격한 증가율

VDM= 67%VDRM에서 2000A,

게이트 펄스 tr ≤0.5μs IGM ＝ 2.0A

125

100

A/μs

Qrr

회복 전하

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

2500

μC

IGT

게이트 트리거 전류

VA=12V, IA=1A

25

40

300

mA

Vgt

게이트 트리거 전압

0.8

3.0

V

IH

유지 전류

25

200

mA

IL

래칭 전류

500

mA

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM=0.67VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

열 저항 접합부에서 케이스까지

1800 사인파에서, 양면 냉각 클램핑 힘 24.0kN

0.022

。C /W

Rth(c-h)

열 저항 케이스에서 방열판까지

0.005

。C /W

Fm

장착 힘

19

24

26

KN

TVj

접점 온도

-40

125

°C

TSTG

저장 온도

-40

140

°C

Wt

무게

560

g

개요

KT50dT