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빠른 차단

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H38KFM, 비대칭적인 빠른 다운 티리스터

부품 번호 H38KFM-KT33cT

Brand:
기술 세미나
Spu:
H38KFM-KT33cT
Appurtenance:

제품 브로셔: 다운로드

  • 소개
  • 개요:
소개

I T(AV)

350A

V DRM

4000V~45 00V

V RRM

1000V~3000V

T Q

50~ 120µs

특징

  • 우수한 동적 특성
  • 빠른 턴온 및 높은 di/dt
  • 저변화 손실

전형적 응용

  • 인버터 공급 응용을 위한 설계

상징

특징

시험 조건

Tj(℃ )

가치

UNIT

유형

최대

IT(AV)

평균 온 상태 전류

180° 반사인파 50Hz 이중 측면 냉각,

TC=55°C

125

350

A

VDRM

반복 피크 오프 상태 전압

tp=10ms

125

4000

4500

V

VRRM

반복 피크 역전압

125

1000

3000

V

Idrm Irrm

반복 피크 전류

VDRM에서 VRRM에서

125

60

mA

ITSM

서지 온 상태 전류

10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM

125

5.0

kA

I2t

퓨징 조정을 위한 I2t

125

A2s*103

VTO

임계 전압

125

1.48

V

르티

온 상태 기울기 저항

2.00

VTM

피크 온 상태 전압

ITM=1000A, F=15kN

50≤tq≤60

25

3.60

V

61≤tq≤120

2.80

V

dv/dt

오프 상태 전압의 비판적 상승 속도

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

정전 전류의 급격한 증가율

VDM= 67%VDRM에서 1000A,

게이트 펄스 tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1200

A/μs

Qrr

회복 전하

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

350

μC

Tq

회로 전환 차단 시간

ITM=1000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-5A/µs

125

50

120

μs

IGT

게이트 트리거 전류

VA=12V, IA=1A

25

40

250

mA

Vgt

게이트 트리거 전압

0.9

2.5

V

IH

유지 전류

20

400

mA

IL

래칭 전류

500

mA

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

열 저항 접합부에서 케이스까지

1800 사인파에서, 양면 냉각 클램핑 힘 15kN

0.035

C /W

Rth(c-h)

케이스에서 히트 싱크까지의 열 저항

0.008

Fm

장착 힘

10

20

KN

TVj

접점 온도

-40

125

°C

TSTG

저장 온도

-40

140

°C

Wt

무게

250

g

개요

KT33cT

개요:

H100KFM-2(1).png

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