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H125KPU, 위상 제어 사이리스터

부분 제1호 H125KPU-KT110dT

Brand:
기술 세미나
Spu:
H125KPU-KT110dT
  • 소개
  • 윤곽
소개

IT(AV)

2800a

VDRM, VRRM 

8000V

8500V

특징:

  • 중앙 증폭 게이트
  • 세라믹 절연체가 있는 금속 케이스
  • 낮은 온 상태 및 스위칭 손실 

전형적인 응용 프로그램:

  • AC 컨트롤러
  • DC 및 AC 모터 제어
  • 제어 정류기

 

상징

 

특징

 

시험 조건

Tj(C)

가치

 

단위

종류

최대

 

IT(AV)

평균 온 상태 전류

180반 사인파 50Hz 이중 냉각

 

TC=55c

 

90

 

 

 

2800

 

a

IDRM IRRM

반복적 최고 전류

VDRM에서     tp= 10ms VRRM에서     tp= 10ms

90

 

 

700

엄마

ITSM

서지 온 상태 전류

10ms 반 시노스 파동VR=0.6VRRM

 

90

 

 

40

ka

i2t

i2융합 조정용 시간

 

 

8000

103a2s

VTO

임계 전압

 

 

90

 

 

0.92

v

르티

온 상태 기울기 저항

 

 

0.32

VTM

피크 온 상태 전압

ITM=3000A, F= 120kN

25

 

 

1.95

v

dv/dt

급격한 증가율 of 상태 밖 전압

VDM=0.67VDRM

90

 

 

2000

V/μs

di/dt

급격한 증가율e 정식 상태 전류

VDM=67%VDRM

포트 펄스 tr ≤0.5μs   IGM= 1.5a

90

 

 

100

A/μs

Qrr

회복 전하

ITM=2000A, tp=4000μs,di/dt=-5A/μs,VR=50V

90

 

6500

 

μC

IGT

게이트 트리거 전류

 

VA= 12V, IA= 1a

 

25

40

 

300

엄마

Vgt

게이트 트리거 전압

0.8

 

3.0

v

ih

유지 전류

25

 

200

엄마

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM=67%VDRM

90

 

 

0.3

v

Rth(j-c)

열 저항 접합에서 케이스까지

이중 냉각

 120kN

 

 

 

0.004

 

c /W

Rth(c-h)

열 저항 케이스에서 열기

 

 

 

0.001

윤곽

H125KPS-2.jpg

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