H100KPU, 위상 제어 사이리스터

상징

특징

시험 조건

Tj(℃ )

가치

UNIT

분

유형

최대

IT(AV)

평균 온 상태 전류

180。반 사인파 50Hz 양면 냉각

TC=70 。C

115

2000

A

Idrm Irrm

반복 피크 전류

VDRM에서 tp= 10ms VRRM에서 tp= 10ms

115

600

mA

ITSM

서지 온 상태 전류

10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM

115

35

kA

I2t

퓨징 조정을 위한 I2t

6125

103A2s

VTO

임계 전압

115

1.32

V

르티

온 상태 기울기 저항

0.52

mΩ

VTM

피크 온 상태 전압

ITM= 1500A, F=90kN

25

2.00

V

dv/dt

오프 상태 전압의 비판적 상승 속도

VDM=0.67VDRM

115

2000

V/μs

di/dt

정전 전류의 급격한 증가율

VDM=67%VDRM

게이트 펄스 tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

115

200

A/μs

Qrr

회복 전하

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V

115

5000

μC

IGT

게이트 트리거 전류

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

Vgt

게이트 트리거 전압

0.8

3.0

V

IH

유지 전류

25

200

mA

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM=67%VDRM

115

0.3

V

Rth(j-c)

열 저항 접합부에서 케이스까지

양면 냉각 클램핑 힘 90kN

0.0057

。C /W

Rth(c-h)

열 저항 케이스에서 방열판까지

0.0015

Fm

장착 힘

81

90

108

KN

TVj

접점 온도

-40

115

°C

TSTG

저장 온도

-40

140

°C

Wt

무게

2500

g

개요

KT100dT