GD900SGX120C2SA_B20,IGBT 모듈,STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

1410

900

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

1800

A

전 D

최대 전력 분산 @ T =175 O C

5000

W

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

I C =900A,V GE =15V, T j =25 O C

1.80

2.25

V

I C =900A,V GE =15V, T j =125 O C

2.10

I C =900A,V GE =15V, T j =150 O C

2.15

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =22.5 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다

전류

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

0.6

Ω

Q g

게이트 요금

V GE =- 15V…+15V

7.40

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =900A,

R Gon = 1.5Ω,R 고프 =0.9Ω, V GE =±15V,T j =25 O C

257

NS

T R

상승 시간

96

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

628

NS

T F

하강 시간

103

NS

이 에

켜 Switching

손실

43

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

82

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =900A,

R Gon = 1.5Ω,R 고프 =0.9Ω,

V GE =±15V,T j = 125O C

268

NS

T R

상승 시간

107

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

659

NS

T F

하강 시간

144

NS

이 에

켜 Switching

손실

59

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

118

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =900A,

R Gon = 1.5Ω,R 고프 =0.9Ω,

V GE =±15V,T j = 150O C

278

NS

T R

상승 시간

118

NS

T D (끄다 )

그림 지연 시간

680

NS

T F

하강 시간

155

NS

이 에

켜 Switching

손실

64

mJ

이 끄다

그림 전환

손실

134

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150 O C,V CC =800V,

V CEM ≤1200V

3600

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞

전압

I F =900A,V GE =0V,T j =25 O C

1.71

2.16

V

I F =900A,V GE =0V,T j = 125O C

1.74

I F =900A,V GE =0V,T j = 150O C

1.75

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j =25 O C

76

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

513

A

이 rec

역회복 에너지

38.0

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j = 125O C

143

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

684

A

이 rec

역회복 에너지

71.3

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j = 150O C

171

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

713

A

이 rec

역회복 에너지

80.8

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.18

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T)

부대와 부대 (D당) 요오드)

0.030

0.052

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (p er 다이오드)

케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.016

0.027

0.010

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

무게 of 모듈

300

g