GD900SGF120A3SN,IGBT 모듈,STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

1466

900

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

1800

A

전 D

최대 전력 분산 @ T vj =175 O C

5.34

KW

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

900

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

1800

A

상징

설명

가치

UNIT

T vjmax

최대 분기 온도

175

O C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t= 1분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =900A,V GE =15V, T vj =25 O C

2.00

2.45

V

I C =900A,V GE =15V, T vj =125 O C

2.50

I C =900A,V GE =15V, T vj =150 O C

2.65

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =32.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

1.44

Ω

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =900A, R Gon =1Ω, R 고프 =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+/15V, T vj =25 O C

520

NS

T R

상승 시간

127

NS

T d(off)

그림 지연 시간

493

NS

T F

하강 시간

72

NS

이 에

켜 Switching 손실

76.0

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

85.0

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =900A, R Gon =1Ω, R 고프 =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+/15V, T vj =125 O C

580

NS

T R

상승 시간

168

NS

T d(off)

그림 지연 시간

644

NS

T F

하강 시간

89

NS

이 에

켜 Switching 손실

127

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

98.5

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =900A, R Gon =1Ω, R 고프 =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+/15V, T vj =150 O C

629

NS

T R

상승 시간

176

NS

T d(off)

그림 지연 시간

676

NS

T F

하강 시간

96

NS

이 에

켜 Switching 손실

134

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

99.0

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F =900A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.95

2.40

V

I F =900A,V GE =0V,T vj =125 O C

2.00

I F =900A,V GE =0V,T vj =150 O C

2.05

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=7100A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

T vj =25 O C

80

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

486

A

이 rec

역회복 에너지

35.0

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=5180A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

T vj =125 O C

153

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

510

A

이 rec

역회복 에너지

64.0

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4990A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

T vj =150 O C

158

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

513

A

이 rec

역회복 에너지

74.0

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

12

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.19

mΩ

R thJC

교차점 -에 -사례 (perIGBT ) 커스 (D) 에 대한 연결 오드)

28.1 44.1

K/kW

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-히트싱크 (per 모듈)

9.82 15.4 6.0

K/kW

m

단자 연결 토크, 나사 M4 단자 연결 토크, 스크루브 M8 장착 토크, 나사 M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

g

무게 of 모듈

1050

g