GD820HTA75P6H

소개

간략한 소개

IGBT 모듈 ,생산자 STARPOWER . 820V 750A.

특징

낮은 VCE(sat) 트렌치 IGBT 기술
저변화 손실
6μs 단회로 능력
양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
최대 접합부 온도 175 °C
낮은 인덕턴스 케이스
빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
DBC 기술을 사용한 격리된 구리 핀핀 베이스플레이트

전형적 응용

자동차용 애플리케이션
하이브리드 및 전기차
모터 드라이브용 인버터

절대 최대 등급 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

IGBT

상징	설명	가치	UNIT
V CES	컬렉터-이미터 전압	750	V
V GES	게이트-이미터 전압	±20	V
I CN	구현된 집합기 Cu 임대료	820	A
I C	콜렉터 전류 @ T F =90 O C	450	A
I 센티미터	펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms	1640	A
전 D	최대 전력 소산 이온 @ T F =75 O C T j =175 O C	751	W

다이오드

상징	설명	가치	UNIT
V RRM	반복적 피크 역전압 연령	750	V
I FN	구현된 집합기 Cu 임대료	820	A
I F	다이오드 연속 정방향 Cu 임대료	450	A
I Fm	다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms	1640	A

모듈

상징	설명	가치	UNIT
T jmax	최대 분기 온도	175	O C
T jop	작동 환절 온도 연속 10초 동안의 주기 내에서 30초 동안 발생 평생 최대 3000회	-40에서 +150 +150 ~ +175	O C
T STG	보관 온도 범위	-40에서 +125	O C
V iso	격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분	2500	V

IGBT 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V CE (sat)	수집자로부터 발산자 포화전압	I C =450A,V GE =15V, T j =25 O C		1.10	1.35	V
		I C =450A,V GE =15V, T j =150 O C		1.15
		I C =450A, V GE =15V, T j =175 O C		1.15
		I C =820A,V GE =15V, T j =25 O C		1.30
		I C =820A,V GE =15V, T j =175 O C		1.50
V GE (번째 )	게이트 발산자 문 전압	I C =12.9 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C	5.5	6.5	7.0	V
I CES	수집가 절단 -끄다 전류	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 O C			1.0	mA
I GES	게이트 발사자 누출 전류	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C			400	부적절함
R Gint	내부 게이트 저항			1.0		Ω
C ies	입력 용량	V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V		72.3		NF
C 소	출력 용량			1.51		NF
C res	역전환 용량			0.32		NF
Q g	게이트 요금	V CE =400V, I C =450A, V GE =-15...+15V		4.77		μC
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =400V, I C =450A, R g =2.4Ω, V GE =-8V/+15V L s =24nH, T j =25 O C		315		NS
T R	상승 시간			61		NS
T d(off)	그림 지연 시간			729		NS
T F	하강 시간			70		NS
이 에	켜 Switching 손실			12.4		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			18.3		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =400V, I C =450A, R g =2.4Ω, V GE =-8V/+15V L s =24nH, T j =150 O C		338		NS
T R	상승 시간			74		NS
T d(off)	그림 지연 시간			826		NS
T F	하강 시간			151		NS
이 에	켜 Switching 손실			20.7		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			25.3		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =400V, I C =450A, R g =2.4Ω, V GE =-8V/+15V L s =24nH, T j =175 O C		343		NS
T R	상승 시간			77		NS
T d(off)	그림 지연 시간			846		NS
T F	하강 시간			171		NS
이 에	켜 Switching 손실			25.0		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			27.3		mJ
I SC	SC 데이터	T 전 ≤6μs,V GE =15V, T j =25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V		4500		A
		T 전 ≤3μs,V GE =15V, T j =175 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V		3300

다이오드 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V F	다이오드 앞 전압	I F =450A,V GE =0V,T j =25 O C		1.40	1.65	V
		I F =450A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.35
		I F =450A,V GE =0V,T j =1 75O C		1.30
		I F =820A,V GE =0V,T j =25 O C		1.70
		I F =820A,V GE =0V,T j =1 75O C		1.65
Q R	회복 전하	V R =400V, I F =450A, -di⁄dt=7760A⁄μs,V GE =-8V L s =24 nH ,T j =25 O C		10.1		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			287		A
이 rec	역회복 에너지			4.83		mJ
Q R	회복 전하	V R =400V, I F =450A, -di⁄dt=6300A⁄μs,V GE =-8V L s =24 nH ,T j =150 O C		25.6		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			341		A
이 rec	역회복 에너지			9.32		mJ
Q R	회복 전하	V R =400V, I F =450A, -di⁄dt=5990A⁄μs,V GE =-8V L s =24 nH ,T j =175 O C		30.4		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			354		A
이 rec	역회복 에너지			10.6		mJ

NTC 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
R 25	등급 저항			5.0		kΩ
∆R/R	오차 of R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
전 25	전력 소산				20.0	mW
B 25/50	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

모듈 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
L CE	방랑 인덕턴스		8		nH
R CC+EE	모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지		0.75		mΩ
△ 전	△ V/ △ t=10.0 dm 3/분 ,T F =75 O C		64		마바르
전	냉각회로에서 최대 압력 쿠잇 T 베이스플레이트 <40 O C T 베이스플레이트 >40 O C (상대 압력)			2.5 2.0	바
R thJF	교차점 -에 -냉각 유체 (perIGBT )접합부-냉각 유체 (D당) 요오드) △ V/ △ t=10.0 dm 3/분 ,T F =75 O C		0.116 0.175	0.133 0.200	K/W
m	단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 나사 M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
g	무게 of 모듈		750		g