GD820HFA75N6HY

소개

간략한 소개

IGBT 모듈 ,생산자 STARPOWER . 820V 750A.

특징

낮은 VCE(sat) 트렌치 IGBT 기술
저변화 손실
6μs 단회로 능력
양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
최대 접합부 온도 175 °C
낮은 인덕턴스 케이스
빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
DBC 기술을 사용한 격리된 구리 핀핀 베이스플레이트

전형적 응용

자동차용 애플리케이션
하이브리드 및 전기차
모터 드라이브용 인버터

절대 최대 등급 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

IGBT

상징	설명	가치	UNIT
V CES	컬렉터-이미터 전압	750	V
V GES	게이트-이미터 전압	±20	V
I CN	구현된 집합기 Cu 임대료	820	A
I C	콜렉터 전류 @ T F =95 O C T vj =175 O C	450	A
I CRM	반복적 최고 수집가 전류 tp 제한된 에 의해 T vjop	1640	A
전 D	최대 전력 소산 이온 @ T F =65 O C T vj =175 O C	909	W

다이오드

상징	설명	가치	UNIT
V RRM	반복적 피크 역전압 연령	750	V
I FN	구현된 집합기 Cu 임대료	820	A
I F	다이오드 연속 정방향 Cu 임대료	450	A
I FRM	반복적 최고 앞으로 전류 tp 제한된 에 의해 T vjop	1640	A

모듈

상징	설명	가치	UNIT
T vjmax	최대 분기 온도	175	O C
T vjop	작동 환절 온도 연속	-40에서 +150	O C
T STG	보관 온도 범위	-40에서 +125	O C
V iso	격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분	2500	V
D 크립	터미널에서 히트싱크로 터미널에서 터미널	7.3 7.3	mm
D 투명	터미널에서 히트싱크로 터미널에서 터미널	7.3 4.0	mm

IGBT 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V CE (sat)	수집자로부터 발산자 포화전압	I C =680A,V GE =15V, T vj =25 O C		1.25	1.50	V
		I C =680A,V GE =15V, T vj =150 O C		1.35
		I C =680A,V GE =15V, T vj =175 O C		1.40
		I C =820A,V GE =15V, T vj =25 O C		1.30
		I C =820A,V GE =15V, T vj =175 O C		1.50
V GE (번째 )	게이트 발산자 문 전압	I C =12.9 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C	5.5	6.5	7.0	V
I CES	수집가 절단 -끄다 전류	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C			1.0	mA
I GES	게이트 발사자 누출 전류	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	부적절함
R Gint	내부 게이트 저항			1.0		Ω
C ies	입력 용량	V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V		72.3		NF
C 소	출력 용량			1.51		NF
C res	역전환 용량			0.32		NF
Q g	게이트 요금	V CE =400V, I C =680A, V GE =-10…+15V		4.10		μC
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =400V, I C =450A, R g =2.4Ω, L s =20 nH ,V GE =-8V/+15V T vj =25 O C		483		NS
T R	상승 시간			60		NS
T d(off)	그림 지연 시간			664		NS
T F	하강 시간			67		NS
이 에	켜 Switching 손실			16.3		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			17.4		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =400V, I C =450A, R g =2.4Ω, L s =20 nH ,V GE =-8V/+15V T vj =150 O C		507		NS
T R	상승 시간			76		NS
T d(off)	그림 지연 시간			750		NS
T F	하강 시간			125		NS
이 에	켜 Switching 손실			26.3		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			22.1		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =400V, I C =450A, R g =2.4Ω, L s =20 nH ,V GE =-8V/+15V T vj =175 O C		509		NS
T R	상승 시간			79		NS
T d(off)	그림 지연 시간			764		NS
T F	하강 시간			139		NS
이 에	켜 Switching 손실			27.6		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			23.0		mJ
I SC	SC 데이터	T 전 ≤3μs, V GE =15V, T j =175 O C,V CC =450V, V CEM ≤750V		3300		A

다이오드 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V F	다이오드 앞 전압	I F =680A,V GE =0V,T vj =2 5O C		1.60	2.05	V
		I F =680A,V GE =0V,T vj =150 O C		1.60
		I F =680A,V GE =0V,T vj =175 O C		1.55
		I F =820A,V GE =0V,T vj =2 5O C		1.70
		I F =820A,V GE =0V,T vj =175 O C		1.65
Q R	회복 전하	V R =400V, I F =450A, -di⁄dt=8350A⁄μs,L s =20n H, V GE =-8V, T vj =25 O C		12.4		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			273		A
이 rec	역회복 에너지			3.45		mJ
Q R	회복 전하	V R =400V, I F =450A, -di/dt=6670A/μs,L s =20n H, V GE =-8V, T vj =150 O C		27.7		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			319		A
이 rec	역회복 에너지			6.51		mJ
Q R	회복 전하	V R =400V, I F =450A, -di/dt=6410A/μs,L s =20n H, V GE =-8V, T vj =175 O C		31.8		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			334		A
이 rec	역회복 에너지			7.26		mJ

PTC 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
R	공칭 저항	T C =0 O C T C =150 O C		1000 1573		Ω Ω
T cr	온도 계수 nt			0.38		%/K
T SH	자기 가열	T C =0 O C I m =0.1...0.3mA		0.4		K/mW

모듈 특성 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
L CE	방랑 인덕턴스		5		nH
전	냉각회로에서 최대 압력 쿠잇			2.5	바
R thJF	교차점 -에 -냉각 유체 (perIGBT )접합-냉각 유체 (per Di 오드) △ V/ △ t=2.67 L/ 분 ,T F =65 O C		0.105 0.157	0.121 0.181	K/W
m	단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 스크루브 M5	3.6 5.4		4.4 6.6	N.M
g	무게 of 모듈		220		g