GD800HFX120C6HA,IGBT 모듈,STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =100 O C

800

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

1600

A

전 D

최대 전력 분산 @ T j =175 O C

5172

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

800

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

1600

A

상징

설명

가치

UNIT

T jmax

최대 분기 온도

175

O C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS,f=50Hz,t= 1분

2500

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =800A,V GE =15V, T j =25 O C

1.95

2.40

V

I C =800A,V GE =15V, T j =125 O C

2.30

I C =800A,V GE =15V, T j =150 O C

2.40

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =24.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 O C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

0.7

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

62.1

NF

C res

역전환 용량

1.74

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15...+15V

4.66

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =800A, R g =1.0Ω, V GE =±15V, L s =40 nH ,T j =25 O C

266

NS

T R

상승 시간

98

NS

T d(off)

그림 지연 시간

394

NS

T F

하강 시간

201

NS

이 에

켜 Switching 손실

108

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

73.8

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =800A, R g =1.0Ω, V GE =±15V, L s =40 nH ,T j =125 O C

280

NS

T R

상승 시간

115

NS

T d(off)

그림 지연 시간

435

NS

T F

하강 시간

275

NS

이 에

켜 Switching 손실

153

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

91.3

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =800A, R g =1.0Ω, V GE =±15V, L s =40 nH ,T j =150 O C

282

NS

T R

상승 시간

117

NS

T d(off)

그림 지연 시간

446

NS

T F

하강 시간

290

NS

이 에

켜 Switching 손실

165

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

94.4

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V F

다이오드 앞 전압

I F =800A,V GE =0V,T j =25 O C

2.00

2.45

V

I F =800A,V GE =0V,T j =1 25O C

2.15

I F =800A,V GE =0V,T j =1 50O C

2.20

Q R

회복 전하

V CC =600V,I F =800A,

-di/dt=5800A/μs,V GE =-15V, L s =40 nH ,T j =25 O C

48.1

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

264

A

이 rec

역회복 에너지

18.0

mJ

Q R

회복 전하

V CC =600V,I F =800A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V, L s =40 nH ,T j =125 O C

95.3

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

291

A

이 rec

역회복 에너지

35.3

mJ

Q R

회복 전하

V CC =600V,I F =800A,

-di⁄dt=4550A⁄μs,V GE =-15V, L s =40 nH ,T j =150 O C

107

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

293

A

이 rec

역회복 에너지

38.5

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 of R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

전 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R thJC

교차점 -에 -사례 (perIGBT ) 커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.029 0.050

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.028 0.049 0.009

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 스크루브 M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

무게 of 모듈

350

g