GD75PFX170C6SG,IGBT 모듈,STARPOWER

소개

간략한 소개

IGBT 모듈 ,생산자 STARPOWER . 1700V 75A.

특징

낮은 VCE(sat) 트렌치 IGBT 기술
10μs 단회로 능력
양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
최대 접합부 온도 175 °C
낮은 인덕턴스 케이스
빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
DBC 기술을 이용한 고립된 구리 기판

전형적 응용

모터 드라이브용 인버터
AC 및 DC 서보 드라이브 앰프
비상 전원 공급 장치

절대 최대 등급 T F =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

IGBT 인버터

상징	설명	가치	UNIT
V CES	컬렉터-이미터 전압	1700	V
V GES	게이트-이미터 전압	±20	V
I C	콜렉터 전류 @ T C =25 O C @ T C =100 O C	139 75	A
I 센티미터	펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms	150	A
전 D	최대 전력 분산 @ T vj =175 O C	559	W

다이오드 인버터

상징	설명	가치	UNIT
V RRM	반복적 피크 역전압 연령	1700	V
I F	다이오드 연속 정방향 Cu 임대료	75	A
I Fm	다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms	150	A

다이오드-정류기

상징	설명	가치	UNIT
V RRM	반복적 피크 역전압 연령	2000	V
I O	평균 출력 전류 5 0Hz/60Hz, 사인파	75	A
I FSM	서지 전류 t 전 =10ms @ T vj = 25O C @ T vj =150 O C	1440 1206	A
I 2T	I 2t값,t 전 =10ms @ T vj =25 O C @ T vj =150 O C	10368 7272	A 2s

모듈

상징	설명	가치	UNIT
T vjmax	최대 접합부 온도(인버터) 최대 접합부 온도 (정류기)	175 150	O C
T vjop	작동점 온도	-40에서 +150	O C
T STG	보관 온도 범위	-40에서 +125	O C
V iso	격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분	4000	V

IGBT -인버터 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V CE (sat)	수집자로부터 발산자 포화전압	I C =75A,V GE =15V, T vj =25 O C		1.85	2.20	V
		I C =75A,V GE =15V, T vj =125 O C		2.25
		I C =75A,V GE =15V, T vj =150 O C		2.35
V GE (번째 )	게이트 발산자 문 전압	I C =3.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	수집가 절단 -끄다 전류	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C			5.0	mA
I GES	게이트 발사자 누출 전류	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C			400	부적절함
R Gint	내부 게이트 저항			8.5		Ω
C ies	입력 용량	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		9.03		NF
C res	역전환 용량	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		0.22		NF
Q g	게이트 요금	V GE =-15 ...+15V		0.71		μC
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =900V,I C =75A, R g =6.8Ω,V GE =±15V, L s =46 nH ,T vj =25 O C		236		NS
T R	상승 시간			42		NS
T d(off)	그림 지연 시간			356		NS
T F	하강 시간			363		NS
이 에	켜 Switching 손실			17.3		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			11.7		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =900V,I C =75A, R g =6.8Ω,V GE =±15V, L s =46 nH ,T vj =125 O C		252		NS
T R	상승 시간			48		NS
T d(off)	그림 지연 시간			420		NS
T F	하강 시간			485		NS
이 에	켜 Switching 손실			27.1		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			16.6		mJ
T D (에 )	턴온 지연 시간	V CC =900V,I C =75A, R g =6.8Ω,V GE =±15V, L s =46 nH ,T vj =150 O C		275		NS
T R	상승 시간			50		NS
T d(off)	그림 지연 시간			432		NS
T F	하강 시간			524		NS
이 에	켜 Switching 손실			27.9		mJ
이 끄다	그림 전환 손실			17.7		mJ
I SC	SC 데이터	T 전 ≤10μs, V GE =15V, T vj =150 O C ,V CC =1000V , V CEM ≤1700V		300		A

다이오드 -인버터 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V F	다이오드 앞 전압	I F =75A,V GE =0V,T vj =2 5O C		1.80	2.25	V
		I F =75A,V GE =0V,T vj =12 5O C		1.90
		I F =75A,V GE =0V,T vj =15 0O C		1.95
Q R	회복 전하	V R =900V,I F =75A, -di/dt=1290A/μs,V GE =-15V L s =46 nH ,T vj =25 O C		10.3		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			84		A
이 rec	역회복 에너지			7.44		mJ
Q R	회복 전하	V R =900V,I F =75A, -di/dt=1100A/μs,V GE =- 15V L s =46 nH ,T vj =125 O C		20.5		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			87		A
이 rec	역회복 에너지			16.1		mJ
Q R	회복 전하	V R =900V,I F =75A, -di⁄dt=1060A⁄μs,V GE =-15V L s =46 nH ,T vj =150 O C		22.5		μC
I RM	피크 역전 회복 전류			97		A
이 rec	역회복 에너지			19.2		mJ

다이오드 -정류기 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
V F	다이오드 앞 전압	I C =75A, T vj =150 O C		0.95		V
I R	역방향 전류	T vj =150 O C ,V R =2000V			3.0	mA

NTC 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	시험 조건	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
R 25	등급 저항			5.0		kΩ
∆R/R	오차 of R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
전 25	전력 소산				20.0	mW
B 25/50	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B값	R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

모듈 특성 T C =25 O C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징	매개변수	최소.	전형적인.	최대.	UNIT
R thJC	교차점 -에 -사례 (perIGBT -인버터 ) 접합부-외피 (다이오드-인버터당 ) 접합부-외각 (다이오드 당-정류기 )			0.268 0.481 0.289	K/W
R thCH	사례 -에 -열기 (perIGBT -인버터 )외각-히트싱크 (다이오드 당-인버터 ) 외각-히트싱크 (다이오드 당-정류기 ) 케이스-히트싱크 (per 모듈)		0.106 0.190 0.114 0.009		K/W
m	장착 토크, 스ikulu:M5	3.0		6.0	N.M
g	무게 of 모듈		300		g