GD750HFA120C6S,IGBT 모듈,STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =100 O C

750

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t 전 =1ms

1500

A

전 D

최대 전력 분산 @ T vj =175 O C

3125

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

900

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t 전 =1ms

1500

A

I FSM

서지 전류 t 전 =10ms @ T vj = 25O C @ T vj =150 O C

3104

2472

A

I 2T

I 2t- 가치 ,T 전 =10 ms @ T vj =25 O C @ T vj =150 O C

48174

30554

A 2s

상징

설명

가치

UNIT

T vjmax

최대 분기 온도

175

O C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +150

O C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

O C

V iso

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =750A,V GE =15V, T vj =25 O C

1.35

1.85

V

I C =750A,V GE =15V, T vj =125 O C

1.55

I C =750A,V GE =15V, T vj =175 O C

1.55

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =24.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 O C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 O C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

0.5

Ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

85.2

NF

C res

역전환 용량

0.45

NF

Q g

게이트 요금

V GE =-15...+15V

6.15

μC

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =750A,

R g =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V

L s =40 nH ,T vj =25 O C

238

NS

T R

상승 시간

76

NS

T d(off)

그림 지연 시간

622

NS

T F

하강 시간

74

NS

이 에

켜 Switching 손실

68.0

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

52.8

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =750A, R g =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V

L s =40 nH ,T vj =125 O C

266

NS

T R

상승 시간

89

NS

T d(off)

그림 지연 시간

685

NS

T F

하강 시간

139

NS

이 에

켜 Switching 손실

88.9

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

67.4

mJ

T D (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =750A, R g =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V

L s =40 nH ,T vj =175 O C

280

NS

T R

상승 시간

95

NS

T d(off)

그림 지연 시간

715

NS

T F

하강 시간

166

NS

이 에

켜 Switching 손실

102

mJ

이 끄다

그림 전환 손실

72.7

mJ

I SC

SC 데이터

T 전 ≤8μs, V GE =15V,

T vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2500

A

T 전 ≤6μs, V GE =15V,

T vj =175 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V F

다이오드 앞 전압

I F =750A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.60

2.05

V

I F =750A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.65

I F =750A,V GE =0V,T vj =175 O C

1.65

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,T vj =25 O C

79.7

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

369

A

이 rec

역회복 에너지

23.3

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,T vj =125 O C

120

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

400

A

이 rec

역회복 에너지

39.5

mJ

Q R

회복 전하

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,T vj =175 O C

151

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

423

A

이 rec

역회복 에너지

49.7

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 of R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

전 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 단자에서 칩까지

0.80

mΩ

R thJC

교차점 -에 -사례 (perIGBT ) 부대와 부대 (D당) 요오드)

0.048 0.088

K/W

R thCH

사례 -에 -열기 (perIGBT )케이스-히트싱크 (p er 다이오드) 케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.028 0.051 0.009

K/W

m

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 스크루브 M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

무게 of 모듈

350

g